额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTC143ECA-7-F 是由美台半导体公司(DIODES)生产的一款数字 NPN 预偏置晶体管,适用于多种电子应用场景,包括开关电源、信号放大和其他需要高效率和小型封装的电路。这款晶体管特别设计用于面向表面贴装工艺 (SMD) 的应用,采用 SOT-23 封装,具有出色的性能参数和灵活的应用范围。
DDTC143ECA-7-F 广泛应用于各种电子产品中,特别适合用于以下领域:
在一个简单的开关电路设计中,DDTC143ECA-7-F 可以作为开关元件,与适当的电阻器 (R1 和 R2) 配合使用,通过调节输入信号实现对负载的有效控制。电流增益和饱和压降的特性确保了在不同工作状态下的快速响应与稳态性能。
DDTC143ECA-7-F 是一款功能强大且多用途的 NPN 预偏置晶体管,凭借其优秀的电气特性和小型封装设计,在现代电子产品中显示出其广泛的应用潜力。不论是在开关电源、信号处理还是数字电路中,其可靠性和效率都为设计者提供了极大的便利,是高性能电子设计的不二之选。