DCX123JU-7-F
DCX123JU-7-F参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
DCX123JU-7-F手册
DCX123JU-7-F概述
DCX123JU-7-F 产品概述
DCX123JU-7-F 是一款专为数字电路设计的双极型晶体管，包含一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，均为预偏置配置。该器件由 DIODES（美台）制造，采用 SOT-363 封装，适用于需要高效开关和放大功能的各种应用场景。
基本参数
额定功率：DCX123JU-7-F 的额定功率为 200mW，该功率评级使其能够在较小的功率范围内稳定运行，同时适应多种电子应用的需求。
集电极电流 (Ic)：该器件的最大集电极电流为 100mA。这一电流限制对于多种应用中所需的开关和放大功能来说是非常合适的。
集射极击穿电压 (Vce)：Vce 最大值可达到 50V，使其能够在多种高压应用环境下使用。
基极和发射极电阻：基极电阻 R1 为 2.2kΩ，发射极电阻 R2 为 47kΩ，这些预设电阻值可确保晶体管在开关状态下的快速启停，并提供良好的线性度和增益。
DC 电流增益 (hFE)：在 10mA 和 5V 的条件下，DC 电流增益（hFE）的最小值为 80。高增益特性使该器件非常适合于实现有效的信号放大。
饱和压降：在集电极电流为250µA，基极电流为5mA时，最大 Vce 饱和压降为 300mV。这一参数对于保证快速开关速度和降低功耗至关重要。
集电极截止电流：该器件的最大集电极截止电流为 500nA，非常适合低功耗应用，尤其是在待机模式下。
频率：DCX123JU-7-F 的跃迁频率为 250MHz，这使其在高频开关应用中具有卓越性能。
封装类型：该晶体管采用 SOT-363 表面贴装封装，适用于高密度组件安装，这有助于节省PCB空间，同时提高自动化焊接和组装的便利性。
应用场景
DCX123JU-7-F 是一种多功能晶体管，广泛应用于数字电路、开关电源、信号放大、音频放大、射频应用及各类家用电器等领域。其高工作频率和低饱和压降使其在高效开关应用中尤为出色。此外，其集成的双极晶体管结构允许设计工程师在同一芯片上实现多功能性，从而简化设计和减少元件数量。
结论
DCX123JU-7-F 是一款用途广泛的数字晶体管，以其合理的电压与电流参数、良好的增益特性和高频性能，为众多电子应用提供了强大的支持。其小巧的 SOT-363 封装不仅适合紧凑型设计，也利于现代电子电路小型化的发展趋势。DIODES（美台）以其精确的制造工艺为基础，确保了该产品的高质量和稳定性，是工程师们在设计及应用中的优质选择。