CSD25213W10
CSD25213W10参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 47 毫欧 @ 1A、 4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 478pF @ 10V | Vgs（最大值） | -6V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.9nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
CSD25213W10手册
CSD25213W10概述
CSD25213W10 产品概述
CSD25213W10是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由德州仪器(Texas Instruments)生产。该元器件专为低功耗应用设计，旨在实现高效的电子信号开关控制和电源管理。其主要参数包括最大漏极电流为1.6A，漏源电压为20V，以及在特定条件下的导通电阻仅为47毫欧。CSD25213W10采用4-DSBGA（1x1mm）封装，适合表面贴装，极大地降低了PCB的占用面积，适合于小型化的电子产品设计。
关键技术规格：
导通电阻（Rds(on)）：该MOSFET在4.5V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为47毫欧，这保证了在负载条件下的低功耗损耗，提高了整体效率。
电流及电压特性：正常工作情况下，该器件的最大漏极电流为1.6A，适用于需要在高频、高效率条件下工作的应用。在20V的漏源电压下，CSD25213W10能够提供稳定的电力输出，同时确保产品的可靠性。
栅极驱动电压：器件的Vgs(th)（阈值电压）最大值为1.1V @ 250µA，确保在低栅压下能够实现快速开关，适应现代电路对快速响应的需求。
输入与输出特性：输入电容（Ciss）最大值为478pF @ 10V，适合高频应用，同时在4.5V驱动时的栅极电荷仅为2.9nC，确保快速开关性能，有助于降低开关损耗。
工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C，表示它适用于各种极端环境条件，满足高可靠性和稳定性要求。
功率耗散：其最大功率耗散为1W，能够在一定条件下承受热负荷，适合各种功率需求的应用。
应用场景：
CSD25213W10非常适合用于多种消费电子产品和工业设备中，包括：
电源管理：该器件可以用作电源开关，尤其是在便携设备中，能够有效地控制电源的开启与关闭，以延长设备的电池寿命。
负载开关：在负载监控和控制系统中，该MOSFET能够实现对负载的稳健开关，提高系统的灵活性。
马达驱动: 在低功率DC马达驱动中，可以利用CSD25213W10进行马达的开关和调速控制，适合在家电和机器人等应用。
备用电源系统：在需要稳定电源切换的应用中，如UPS系统，CSD25213W10能够提供高效的电能管理。
结论：
CSD25213W10以其卓越的电气特性和广泛的操作温度范围，使其成为众多应用中的理想选择。无论是在消费电子还是在工业设备上，此MOSFET都展现出卓越的性能和可靠性。凭借德州仪器的优质制造工艺，这款P沟道MOSFET为设计工程师提供了解决各种电源管理和开关应用需求的可靠解决方案。