BUK9Y25-60E,115
BUK9Y25-60E,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 34A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 21.5mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 65W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 34A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 65W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
BUK9Y25-60E,115手册
BUK9Y25-60E,115概述
产品概述：BUK9Y25-60E,115
一、产品简介
BUK9Y25-60E,115是由安世（Nexperia）公司生产的一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），专为高效能电源管理和开关应用而设计。其优越的电气性能使其非常适合用于各种汽车、工业和消费电子产品中，尤其是在高效率转换器、DC-DC 转换器和马达驱动电路等领域。该器件采用先进的LFPAK56封装，具有优良的散热性和小型化特性，便于在空间受限的应用中使用。
二、主要特点
漏源电压（Vdss）和电流能力： BUK9Y25-60E,115具有高达60V的漏源电压和25A（远高于34A） 的连续漏极电流能力。该参数意味着该器件能够处理较高的电源电压和电流，对于需要高性能的电源开关和控制电路具有显著的适用性。
导通电阻（Rds On）： 在10A和10V的条件下，BUK9Y25-60E,115的漏源导通电阻仅为21.5毫欧。这一低导通电阻显著降低了开关损耗和热量产生，提升了整个电路的效率，尤其在高频应用中尤为重要。
栅源阈值电压（Vgs(th)）与栅电荷（Qg）： 该MOSFET的栅源阈值电压为2.1V（@1mA），与栅电荷为12nC（@5V）的特性使其可快速开关，适合高频率应用，如开关电源和PWM调制电路。这意味着能够在较低的驱动电压下有效工作，有助于降低驱动电路的功耗。
热管理能力： BUK9Y25-60E,115的最大功率耗散能力为65W（在Tc=25°C条件下），并具有-55°C至175°C的工作温度范围，使得该器件可以在极端环境下稳定运行，为各种应用提供可靠的性能。
封装选项： 采用LFPAK56和Power-SO8封装，BUK9Y25-60E,115能够实现很好的表面贴装特性，适合自动化组装。同时，其紧凑设计使其在电路板上占用较小面积，适用于空间有限的设计需求。
三、应用领域
BUK9Y25-60E,115的应用范围非常广泛，包括但不限于：
- 汽车电子：用于电源分配、马达控制和LED驱动等场合。
- 工业控制：在DC-DC转换器和电机驱动中提供高效的开关能力。
- 消费电子产品：在充电器、移动设备和家用电器中实现高效能电源管理和功率转换。
四、总结
BUK9Y25-60E,115是一款性能优越的N沟道MOSFET，具备高漏源电压、低导通电阻和优异热管理能力，适合多种高效能电源和开关应用。其先进的技术参数和较宽的工作温度范围，让其在高电流和高电压的环境下依然能够可靠运行。同时，适应现代表面贴装需求的封装设计使其在现代电子产品中得以广泛应用。无论是汽车、工业还是消费电子领域，BUK9Y25-60E,115都能为设计师提供理想的解决方案。