BSS138DW-7-F

BSS138DW-7-F 产品概述

概述

BSS138DW-7-F 是一款高性能双 N 沟道场效应晶体管 (MOSFET)，由知名电子元器件制造商 DIODES（美台）生产。它设计用于广泛的低功耗应用，电源管理，驱动电路等场合，尤其在需要逻辑电平操作的场合中表现出色。凭借其优越的电气特性和紧凑的封装，BSS138DW-7-F 是现代电子设计中理想的选择。

基本参数

• 漏源电压 (Vdss)：最大可以承受 50V 的漏源电压，使得该 MOSFET 适用于中等电压应用。
• 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的工作条件下，规定的最大连续漏极电流为 200mA，满足多种低功耗负载需求。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：在 250µA 的条件下，栅源极阈值电压为 1.5V，这使其能够在逻辑电平电压下有效工作，方便与数字电路兼容。
• 漏源导通电阻 (Rds(on))：在 220mA 和 10V 下，导通电阻最大值为 3.5Ω，表明其在导通时的功耗非常低，有助于提高系统效率。
• 功率耗散：器件的最大功率耗散为 200mW，适合大部分低功耗应用。
• 工作温度范围：该 MOSFET 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适应各种环境条件。

封装与尺寸

BSS138DW-7-F 采用 SOT-363 (SC-70-6) 表面贴装封装，这种紧凑的封装设计使得其非常适合空间有限的电路板应用。该封装不仅减少了占用的PCB空间，也有助于热管理。

应用场景

BSS138DW-7-F 的特性使其在多个应用场景中成为理想选择，包括但不限于：

1. 开关电源：可以用作开关元件，控制大功率负载的开关状态。
2. 信号放大：用于信号的调理与放大，支持多种信号处理应用。
3. 逻辑电平驱动：非常适合小型电子设备中低功耗逻辑电平驱动，满足现代数字电路的需求。
4. 电池管理系统：在电源管理和充放电过程中提供高效率的控制。

性能优势

1. 高效能：得益于低导通电阻和高电流承载能力，BSS138DW-7-F 在工作过程中显著降低能量损耗。
2. 兼容性好：其逻辑电平threshold使得BSS138DW-7-F 在与各种数字电路接口时不会受到限制，能够无缝集成。
3. 耐用性强：广泛的温度工作范围使得该元件在极端条件下仍然保持高效运行，提升了产品的可靠性和使用寿命。

总结

BSS138DW-7-F 作为一款双 N 沟道 MOSFET，因其优越的技术参数、实用的封装形式及广泛的应用领域，成为电子设计工程师在选择元器件时的重要考虑对象。无论是在消费类电子、工业控制还是电源管理系统中，BSS138DW-7-F 均能充分满足高性能、低能耗的设计要求，是现代电子产品不可或缺的基础元件之一。