BSS138-7-F
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300mW 50V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
91980(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.522按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.522
--
200+
￥0.174
--
1500+
￥0.109
--
3000+
￥0.075
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSS138-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3.5Ω @ 220mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS138-7-F手册
BSS138-7-F概述
产品概述：BSS138-7-F N沟道MOSFET
1. 引言
BSS138-7-F是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低功耗应用设计。具有较高的开关速度与可靠性，使其在众多电路应用中成为理想选择。该器件由美台半导体（Diodes Inc.）制造，具有SOT-23封装，适应现代电子设备的小型化趋势。
2. 基础参数
- 漏源电压（Vdss）: 50V
- 连续漏极电流（Id）: 200mA（@ 25°C）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V @ 250μA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 3.5Ω @ 220mA, 10V
- 最大功率耗散: 300mW（@ Ta=25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
3. 封装与安装
BSS138-7-F采用SOT-23封装，这种封装形式兼具小型化与散热效能，在表面贴装技术（SMT）中得到了广泛应用。其小巧的体积方便在紧凑型电路板设计中布置，适合各种电子产品的组装需求。
4. 电气特性
BSS138-7-F的关键电气特性使其在开关电源、线性稳压器以及信号放大等多种应用中表现出色：
- 高漏源电压（Vdss）: 允许在高达50V的电压条件下安全工作，为电源管理和高电压应用提供灵活性。
- 较低的导通电阻（Rds(on)）: 仅为3.5Ω，这在220mA的工作条件下表明其能够有效降低通道损耗，提高整体电路效率。
- 适中的阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V的阈值电压使得BSS138能够在较低的栅源电压下导通，适用于低电压逻辑驱动。
5. 应用场景
BSS138-7-F广泛应用于如下领域：
- 开关电源: 作为开关元件，能够有效控制电流的通断，提升电源效率。
- 负载开关: 用于电路中的报警灯、马达等负载控制，通过栅极电压的变化实现负载的开关控制。
- 信号放大器: 适合用于小信号放大，可在低电流条件下正常工作。
- 电平转换: 可以在不同电平的逻辑电路之间进行转换，适合使用在新旧电路兼容应用中。
6. 性能优势
BSS138-7-F的设计具有众多优势，使其在电子元件市场中脱颖而出：
- 出色的热稳定性: 工作温度范围宽广，确保了在极端环境中依然能够稳定运行，适用于军工、航空等高要求行业。
- 小型封装: SOT-23封装带来的小尺寸，是现代极小型电子产品的理想选择。
- 高效能表现: 优异的导通电阻和较高的电流承载能力，使其在性能与功耗之间达到了良好平衡。
7. 总结
BSS138-7-F作为一款N沟道MOSFET，凭借其优异的电气特性与广泛的应用领域，使其成为了电子设计工程师的常用选择。无论是在高效开关电源，还是复杂的负载开关项目中，BSS138-7-F都能够提供理想的解决方案。凭借其可靠性以及成本效益，BSS138-7-F必将持续满足不断发展的电子市场需求。