BSC035N10NS5ATMA1
BSC035N10NS5ATMA1参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6500pF @ 50V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 87nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），156W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 115µA |
BSC035N10NS5ATMA1手册
BSC035N10NS5ATMA1概述
BSC035N10NS5ATMA1 产品概述
概述
BSC035N10NS5ATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司制造的高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其采用表面贴装型 TDSON-8 封装，设计用于高效功率开关和电源管理应用。这款 MOSFET 具备优异的导通性能和热管理能力，适合广泛的工业和消费电子应用。
主要特性
高导通电流能力：在 25°C 条件下，BSC035N10NS5ATMA1 能够承受高达 100A 的连续漏极电流（Id），使其在需要大电流传导的应用中表现出色。
低导通电阻：最大导通电阻（Rds(On)）可低至 3.5 毫欧，在 10V 的门电压 Vgs 下，电流达到 50A。这一特性大大降低了功耗和热量生成，对于提高能效至关重要。
高切换效率：输入电容（Ciss）最大值为 6500pF @ 50V，搭配 87nC 的栅极电荷（Qg），使得此 MOSFET 在频繁开关操作中展现出极佳的效率，适合高频应用。
宽工作温度范围：其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保在严苛的环境条件下也能正常工作，增强了产品的可靠性。
高耐压能力：BSC035N10NS5ATMA1 的漏源电压（Vdss）可高达 100V，为电源设计提供了较大的安全裕度，使其适用于多种电压要求的应用场景。
符合工业标准：其驱动电压 Vgs 的推荐范围为 6V 至 10V，确保在多种驱动条件下均可稳定工作。且最大 Vgs 能承受 ±20V 的电压，为设计提供了弹性。
应用领域
BSC035N10NS5ATMA1 适合多种应用，包括但不限于：
开关电源：其高效率和优秀的热特性，使其非常适合用作 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中的开关元件。
电动汽车：在电池管理系统和电动驱动系统中，能够高效控制电流，提高系统的性能与安全性。
工业自动化：适用于高功率驱动和控制系统中，例如电机驱动以及电气驱动模块，为自动化系统提供必要的开关控制。
LED 驱动：利用其低导通电阻特性，实现高效率的 LED 驱动电源设计，确保灯具可以长时间稳定运行。
封装与散热
BSC035N10NS5ATMA1 的 TDSON-8 封装设计提供良好的散热能力，最大功耗可达到 156W（Tc），在优化散热设计的情况下，可以有效降低 MOSFET 的工作温度，延长器件的使用寿命。这使得设计师在安装和布线时，有更多的灵活性，能够更好地满足系统的散热需求。
总结
综上所述，BSC035N10NS5ATMA1 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，适用于广泛的高功率和高频率开关应用。凭借其卓越的电流承载能力、低导通电阻和优良的温度稳定性，此器件能够满足现代电子设计对性能和效率的严格要求，是高效能电源系统的理想选择。