BS170FTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 330mW 60V 150uA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
11558(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.08按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.08
--
200+
￥0.833
--
1500+
￥0.724
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
BS170FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 150mA |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 5Ω @ 200mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 330mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 0.15mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BS170FTA手册
BS170FTA概述
BS170FTA MOSFET 产品概述
概述
BS170FTA 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)，具备出色的电气特性，适用于广泛的电子应用。它的漏源电压 (Vdss) 为 60V，连续漏极电流 (Id) 在 25°C 时最大为 150mA。此器件专为要求高性能和可靠性的电路设计而优化，广泛应用于开关电源、马达驱动、信号放大和其他与传感器相关的应用中。
主要特性
漏源电压 (Vdss): 60V
- 使得 BS170FTA 能在许多高压应用中安全工作，特别适用于要求额定电压较高的电源管理电路。
连续漏极电流 (Id): 150mA @ 25°C
- 该电流特性表示该器件能够处理适中的负载能力，适合在小型负载驱动应用中使用。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 1mA
- 该阈值电压表明在 3V 时，器件进入导通状态，为低电压工作环境中的快速开关提供了便利。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 5Ω @ 200mA, 10V
- 低导通电阻减少了在导通状态下的能量损失，提高了整体效率，尤其在高频率的开关应用中。
最大功率耗散: 330mW (@ Ta = 25°C)
- 该功率耗散限制使得 BS170FTA 在设计时能够融入热管理策略，防止过热导致的损坏，确保长期稳定运行。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 该宽温度范围保证了 BS170FTA 能在极端环境下稳定工作，非常适合汽车电子、工业设备及其他严苛应用环境。
封装类型: SOT-23-3
- 该表面贴装封装具有体积小、占用空间少的优点，辅以优良的散热特性，使其在紧凑型电路中更受欢迎。
应用领域
BS170FTA 适用于多种电子产品和电路，其中包括但不限于：
- 开关电源: 由于其良好的导通特性和相对较高的电压等级，使其成为高效开关电源中的理想选择。
- 信号开关: 在不需要大电流的情况下，能够高效地控制信号，适用于音频信号和数字信号处理电路。
- 马达驱动: 其电流特性足以满足小功率马达的驱动要求，适用于自动化、机械控制系统。
- 传感器接口: 常用于与传感器连接的开关电路，帮助实现信号调理和采集。
整体评价
BS170FTA 是一款经济实用的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围以及紧凑的封装设计，使其在竞争中脱颖而出。无论是在高效电源转换、信号开关还是精密电子控制领域，BS170FTA 均能提供可靠的解决方案，是现代电子产品中不可或缺的元件之一。
在设计和选择 MOSFET 时，考虑其电气特性和应用场景是至关重要的。BS170FTA 凭借其均衡的性能特征和良好的性价比，适合广泛的电子设计需求，并受到众多设计工程师的青睐。