BCV47,215
BCV47,215参数
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 集电极电流Ic | 500mA |
| 集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 250mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 100µA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 10000 @ 100mA，5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
| 频率 - 跃迁 | 220MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
BCV47,215手册
BCV47,215概述
BCV47,215 产品概述
产品简介
BCV47,215 是一款高性能 NPN 达林顿型晶体管，由安世半导体（Nexperia）生产，采用 SOT-23-3 表面贴装封装。该器件专为需要高增益、低功耗和高电流驱动能力的应用设计，是电子设备和电路中不可或缺的关键元件。凭借其优越的电气特性和广泛的工作温度范围，BCV47,215 能够满足多种工业和消费类电子产品中的严苛需求。
基本参数
BCV47,215 的技术规格具体如下：
- 晶体管类型：NPN 达林顿
- 集电极电流 (Ic)：最大 500mA
- 集射极击穿电压 (Vce)：最大 60V
- 额定功率：250mW
- 饱和压降：1V @ 100μA，100mA
- 集电极截止电流（ICBO）：最大 100nA
- 直流电流增益 (hFE)：最低 10000 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：220MHz
- 工作温度范围：最高 150°C（Tj）
- 封装类型：SOT-23-3
技术特点
高增益能力：BCV47,215 的 DC 电流增益 (hFE) 最低值达到 10000，提供了卓越的信号放大能力。这使得该器件非常适合用在高增益应用场景中，例如音频放大器和信号处理电路。
低功耗运行：250mW 的最大功率额定和低饱和压降（1V）确保该达林顿晶体管在多种负载条件下能够有效工作，同时降低了能量损耗，非常适合便携式和电池驱动的设备。
宽电压范围：具有最高 60V 的集射极击穿电压，为设计师提供了更大的电压适应性。这一特性允许 BCV47,215 在高压分布系统或电源管理应用中得到应用。
高频操作：其 220MHz 的频率跃迁特性使得该元件不仅适用于低频应用，也可以在 RF 及高速数字电路中有效应用。这为设计者提供了更广泛的设计灵活性。
广泛的工作温度：BCV47,215 能够在高达 150°C 的温度下可靠工作，非常适合在温度苛刻的环境中使用，如汽车电子和工业控制系统。
紧凑的封装设计：SOT-23-3 封装使得该元件在空间受限的应用中依旧能够发挥出色，适合高密度电路布局和表面贴装技术（SMT）应用。
应用场景
- 电源开关：由于其高电流和低饱和电压，此晶体管可用于高效电源开关。
- 信号放大器：适合用于音频力反馈电路或信号放大器设计，尤其是在低功耗和高增益场合提供优质性能。
- 传感器驱动：低截止电流和高增益特性使得它适合用作传感器和电器元件的驱动，包括继电器和继电器控制电路。
- 自动化控制：在工业自动化控制中，BCV47,215 能够有效驱动各种执行机构，如电动马达和开关。
总结
BCV47,215 是一款强大且灵活的 NPN 达林顿型晶体管，具有超高的电流增益和可靠的功率能力，适用于多种高性能电路。无论在消费电子、工业应用或汽车电子等领域，其卓越的电气特性和紧凑的封装设计使其成为设计师的理想选择，能够提供高效和可靠的解决方案。