BC857CW,115
BC857CW,115参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
BC857CW,115手册
BC857CW,115概述
产品概述：BC857CW，115 三极管
基本信息
BC857CW是一款常见的PNP型双极结型晶体管（BJT），广泛应用于信号放大和开关控制领域。通过其卓越的性能参数和紧凑的尺寸，该产品在商业和工业电子设计中得到广泛使用。BC857CW由安世半导体（Nexperia）制造，具有小型化的SC-70/SOT-323封装，能够适应多种表面贴装应用。
主要参数
额定功率：BC857CW的额定功率为200毫瓦（mW），使其在中小功率应用中表现出良好的稳定性和可靠性。
集电极电流（Ic）：该晶体管的集电极电流最大值为100毫安（mA），非常适合低功率输出需求的电路设计。
集射极击穿电压（Vce）：其最大的集射极击穿电压为45伏（V），确保在多种电源条件下的安全运行，防止器件被损坏。
饱和压降（Vce(sat)）：在不同的基极电流（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，BC857CW的饱和压降最大为600毫伏（mV），在5mA和100mA条件下表现良好，这对于开关应用来说是一个重要的参数。
电流增益（hFE）：在特定工作条件下（2mA，5V），该晶体管的DC电流增益（hFE）最小可以达到420，表明在相对较低的基极电流下能够获得较大的集电极电流。
截止电流（ICBO）：该器件在集电极截止条件下的最大漏电流为15纳安（nA），确保了在非导通状态下的极低功耗。
频率响应：BC857CW的频率跃迁达到100MHz，使其在高频应用如射频放大器和开关电路中具备出色性能。
工作温度：该器件的最大结温可达150°C（TJ），适合于各种工作环境并有助于提高整机的热稳定性。
封装与安装
BC857CW采用的SOT-323封装（SC-70），其小巧轻便的特性，让其非常适合于空间受限的设计。表面贴装设计进一步简化了生产加工过程，提高了组装效率。
应用领域
BC857CW的设计使其非常适用于多种应用场合，包括但不限于：
- 开关电路：由于其饱和压降低，适合用于高效的开关电路。
- 信号放大器：在音频和视频设备中，BC857CW可以用来提升信号强度。
- 电源管理：在电源开关和电源调节模块中，K857CW能够保证系统的稳定性与响应速度。
- 传感器接口：在传感器信号处理和转换中，能够可靠地放大微小信号。
总结
作为一种高性能PNP晶体管，BC857CW在众多领域都具备广泛的应用潜力。其出色的电气特性、优良的温度性能以及适应性强的封装设计，使其成为设计师在开展电子项目时可以信赖的选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子，BC857CW都能提供稳定可靠的性能表现。