额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 65V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
BC856B-7-F是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),其设计强调了优异的电流增益以及较低的饱和压降,使其在多个电子应用中具有出色的性能表现。此款元器件主要由DIODES(美台)公司生产,采用SOT-23封装,适合显著节省空间的表面贴装设计。凭借其卓越的工作参数与稳定性,BC856B-7-F广泛应用于小信号放大器、开关电路以及其他线性和非线性电路中。
额定功率与电流
电压参数
电流增益
频率与温度
封装与安装
BC856B-7-F适宜运用在多种电子电路中,包括但不限于:
BC856B-7-F以其高额定功率、适中的集电极电流和宽广的工作温度范围,为各种电子设计需求提供灵活的解决方案。其高电流增益和低饱和压降特性,使其在高频和低功耗应用中表现出色。该晶体管的可靠性能与便捷的SOT-23表面贴装封装设计,使其在现代电子产品中十分受欢迎。无论是对于专业设计师,还是DIY爱好者,BC856B-7-F都是实现高效电路设计的理想选择。