额定功率 | 600mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 100mA,1V | 功率 - 最大值 | 600mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
产品概述:BC817DS,115
一、产品背景与应用
BC817DS,115 是一款由安世半导体(Nexperia)推出的高性能NPN型双极性晶体管(BJT)。该产品专为需要中等功率和高频率控制的电子应用而设计,能够满足大多数通用电子设备的关键需求。其主要应用领域包括开关电源、线性放大器、信号放大以及各类开关电路。
二、基本参数
三、技术特性解析
结构与封装
BC817DS,115 采用6-TSOP封装,其小巧的尺寸(1.5mm)使其适合高密度表面贴装应用。该封装不仅节省了板级空间,而且能有效减小信号传输时的干扰,提高整体电路性能。
高频特性
本产品的跃迁频率达到100MHz,这使得其在高频开关应用中的表现非常出色,适用于射频应用和数据传输线路中,能够有效降低信号延迟。
电流与电压特性
BC817DS,115 支持最大500mA的集电极电流及45V的集射极击穿电压,能够应对各种负载要求。在大电流工作时,Vce饱和压降控制在700mV以内,确保功率损耗最小化,提高效率。
高温工作性能
该元器件的工作温度高达150°C,适合于汽车电子、工业控制及其他高温环境中使用。其稳定性使得在严酷房地产中也能保持性能不变。
高增益
在100mA集电极电流下,BC817DS,115的最小直流电流增益(hFE)为160,这意味着可以使用较小的基极电流来控制较大的集电极电流,增强了电路设计的灵活性及可靠性。
四、应用实例
BC817DS,115 可广泛应用于各类电子设备和电路中。例如:
五、总结
BC817DS,115 是一款功能强大、性能优异的NPN型晶体管,具备广泛的适用性和高可靠性,适用于需要高效能、低功耗和简易集成的各种电子项目。无论是在家电、通信设备、汽车电子还是工业应用领域,该器件都能提供理想的解决方案,助力构建更为高效和可靠的电子产品。