BAV99S,115
BAV99S,115参数
| 反向恢复时间（trr） | 4ns | 直流反向耐压（Vr） | 100V |
| 平均整流电流（Io） | 200mA | 正向压降（Vf） | 1.25V @ 150mA |
| 二极管配置 | 2 对串联 | 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V | 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 200mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 4ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 80V |
| 工作温度 - 结 | 150°C（最大） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
BAV99S,115手册
BAV99S,115概述
BAV99S, 115 产品概述
BAV99S, 115 是一款高性能的表面贴装开关二极管，其设计主要用于快速开关应用。这款二极管由安世半导体（Nexperia）制造，基于其出色的半导体技术，提供了可靠的电子性能和广泛的应用适用性。
主要参数与特性
反向恢复时间（trr）: BAV99S, 115 在反向恢复过程中表现出色，其反向恢复时间为4纳秒（ns），这使得它尤其适合用于高频开关电路，如脉冲调制和射频应用。这一参数对于减小开关损耗和提高工作效率至关重要。
直流反向耐压（Vr）: 该二极管能够承受最大100V的直流反向电压，提供了优良的电源保护功能，适用于多种电压环境的应用。
平均整流电流（Io）: BAV99S, 115 可承受的平均整流电流为200mA，是其在中等功率应用中的一大优势。这使其能够在多种条件下稳定工作，尤其在电子设备和小型电源模块中展示出良好的性能。
正向压降（Vf）: 在150mA的工作条件下，二极管的正向压降为1.25V，这一参数反映了其在导通状态下的功耗表现。有效的压降能够减少整体能量损失，增加设备的能效。
反向泄漏电流: 在80V反向电压下，反向泄漏电流仅为500nA，表明其在静态状态下的能量消耗极低，适合需要长时间保持静态的电路设计。
工作温度: 该二极管的结温最大可达150°C，这使得它在高温环境下也能正常运行，拓宽了其应用范围。
封装与安装
BAV99S, 115 封装类型为SOT-363，属于小尺寸封装。SOT-363封装的优势在于能够有效降低电路板空间需求，提高整体设计的紧凑性。该二极管适用于表面贴装技术（SMD），使其在自动化生产过程中易于安装和操作。
应用场景
由于其优异的电气性能与灵活的安装形式，BAV99S, 115 被广泛应用于多个领域，包括：
- 通信设备: 高速切换和信号整形。
- 消费电子: 手机、平板电脑和电视机内部电源电路的保护。
- 电源管理: DC-DC转换器和充电器中的开关功能。
- 汽车电子: 用于传感器和控制模块的保护电路。
总结
BAV99S, 115 作为一款高性能的开关二极管，结合了快速恢复、低正向压降和极小的反向泄漏电流，适合应用于高频和低功耗的电子电路。其强大的工作温度范围和紧凑的SOT-363封装，更是为设计师提供了多样化的选择。这款二极管的灵活性和稳定性使其成为许多高端电子设备和日常消费品中不可或缺的关键元件。利用 BAV99S, 115，设计师能够有效提升产品的整体性能和能效，满足现代电子市场对高效能、高可靠性的迫切需求。