BAS116,215
BAS116,215参数
| 反向恢复时间（trr） | 3us | 直流反向耐压（Vr） | 75V |
| 平均整流电流（Io） | 215mA | 正向压降（Vf） | 1.25V @ 150mA |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 215mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 3µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5nA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
BAS116,215手册
BAS116,215概述
BAS116,215 产品概述
一、产品简介
BAS116,215 是一款高度可靠的标准开关二极管，主要由 Nexperia（安世半导体）生产。它采用 TO-236AB（SOT-23）封装，专为低功耗应用设计，适合于表面贴装(SMD)技术。该器件以其出色的电气性能在工业和消费电子产品中得到了广泛应用。
二、主要特点
反向耐压（Vr）: BAS116,215 的直流反向耐压最大值达到75V，使其能够承受较高的电压应用。
整流电流（Io）: 该二极管能够承受最高215mA的平均整流电流，适合于中等功率应用。
正向压降（Vf）: 在150mA的工作条件下，其正向压降为1.25V，确保在进行开关操作时能保持较低的功耗。
反向恢复时间（trr）: BAS116,215 具有较快的反向恢复时间，仅为3µs，适合高频应用，尤其是在开关电源和脉冲电路中。
反向泄漏电流: 在75V的反向偏压下，反向泄漏电流仅为5nA，表明该二极管具有极小的漏电流，有利于提高电路的整体效率。
小封装设计: 其小巧的TO-236AB封装（SC-59，SOT-23形式）使其非常适合需要高集成度和空间受限的应用场合。
三、应用领域
BAS116,215 作为一种标准开关二极管，具有多种应用场景，包括但不限于：
功率管理: 由于其优秀的正向压降和高耐压能力，BAS116,215 可以用于功率管理电路，如开关电源、太阳能逆变器等。
信号整流: 在信号处理和整流电路中，BAS116,215 能有效隔离和传递信号，提升电路稳定性。
数据通信: 其快速的反向恢复能力使其非常适合在高速数据传输中使用，以减少信号失真和延迟。
保护电路: BAS116,215 还可以作为过压过流保护的关键元件，防止其他元器件受到损坏。
四、工作环境
BAS116,215 的工作温度范围可达到150°C（最大值），使其适用于各种苛刻环境。在工业设备和汽车电子产品中，能够确保其在各种复杂条件下的稳定性能。
五、性能指标比较
在综合比较其他同类二极管时，BAS116,215 的高反向耐压、低正向压降和极小的反向泄漏电流，使其在市场上具备竞争力。此外，反向恢复特性使其可在要求高频操作的场合下表现优异。
六、总结
总的来说，BAS116,215 是一款性价比高且性能稳健的标准开关二极管，适合于多种电子电路和应用需求。无论是在消费类电子产品还是在工业设备中，BAS116,215 都能提供可靠的性能，为设计工程师提供了良好的选择。Nexperia（安世半导体）凭借其在半导体领域的卓越技术和品质保证，确保了BAS116,215能够在市场上长期稳定运行。