AO6800 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO6800

商品编码: BM0000280212
品牌 : 
AOS
封装 : 
TSOP-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.052g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.15W 30V 3.4A 2个N沟道 TSOP-6
库存 :
190(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.09
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.09
--
200+
¥0.84
--
1500+
¥0.73
--
3000+
¥0.635
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO6800参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 3.4A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.4AFET 类型2 N-通道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)235pF @ 15V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10V漏源电压(Vdss)30V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值1.15W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA

AO6800手册

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AO6800概述

AO6800 产品概述

产品简介

AO6800 是一款高性能 N-通道 MOSFET(场效应管),由 AOS(Advanced Power Electronics Corp.)公司生产,专为要求高效能和小型化设计的电子应用而设计。该器件采用了表面贴装型(SMD)封装,产品封装为 TSOP-6,适用于现代电子设备的小型化设计。

基本参数

AO6800 的主要电气特性包括:

  • 导通电阻(RDS(on)):在 3.4A 和 10V 的条件下,AO6800 的最大导通电阻为 60 毫欧。这一指标在确保低功耗和高效率的同时,帮助降低热损耗,延长产品使用寿命。

  • 连续漏极电流(Id):可在 25°C 环境下,提供高达 3.4A 的连续漏极电流,确保在较高负载条件下的可靠性。

  • 漏源电压(Vdss):该 MOSFET 可以承受高达 30V 的漏源电压,适合多种中低电压应用。

  • 输入电容(Ciss):在 15V 的工作条件下,输入电容最大为 235pF。这一较小的输入电容值使得对驱动信号的响应更加迅速,提高了开关频率。

  • 栅极电荷(Qg):在 10V 的栅极驱动下,栅极电荷最大为 10nC,保证了MOSFET能在高频场合保持较快的开关速度。

  • 阈值电压(Vgs(th)):在 250μA 的条件下,Vgs(th) 最高为 1.5V,意味着该器件能够在低电压下实现较好的导通,从而提高了逻辑控制和驱动的灵敏度。

工作温度

AO6800 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C(TJ),这表明该器件适用于各种极端环境,满足了航空航天、汽车以及工业设备等对元器件性能的严格要求。

功率

该 MOSFET 的最大功率值为 1.15W,适合用于有限空间内的小型电源管理、驱动电路等应用,同时有效保障了系统的热管理。

应用场景

AO6800 的广泛应用场景包括但不限于:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理电路,提供有效的能量转换。
  • 驱动电路:在电机驱动、灯光控制和其他开关控制应用中充当开关元件,能够以高效的方式控制负载。
  • 工业和消费电子:适用于诸如智能家居设备、电动工具、通信设备等领域,能够满足现代电子器件在功耗、体积和响应速度上的严格需求。

结论

AO6800 MOSFET 是一款兼具高性能和高可靠性的 N-通道场效应管,适用于多种工业和消费应用,是当前市场上先进电子设备不可或缺的核心元件之一。通过精确的电气特性,优化的热管理能力,以及小型的封装设计,AO6800 不仅可以满足设计师对性能的需求,同时也有助于缩小产品体积,提高集成度,实现更加高效的电子解决方案。