安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 60 毫欧 @ 3.4A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 235pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1.15W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
AO6800 是一款高性能 N-通道 MOSFET(场效应管),由 AOS(Advanced Power Electronics Corp.)公司生产,专为要求高效能和小型化设计的电子应用而设计。该器件采用了表面贴装型(SMD)封装,产品封装为 TSOP-6,适用于现代电子设备的小型化设计。
AO6800 的主要电气特性包括:
导通电阻(RDS(on)):在 3.4A 和 10V 的条件下,AO6800 的最大导通电阻为 60 毫欧。这一指标在确保低功耗和高效率的同时,帮助降低热损耗,延长产品使用寿命。
连续漏极电流(Id):可在 25°C 环境下,提供高达 3.4A 的连续漏极电流,确保在较高负载条件下的可靠性。
漏源电压(Vdss):该 MOSFET 可以承受高达 30V 的漏源电压,适合多种中低电压应用。
输入电容(Ciss):在 15V 的工作条件下,输入电容最大为 235pF。这一较小的输入电容值使得对驱动信号的响应更加迅速,提高了开关频率。
栅极电荷(Qg):在 10V 的栅极驱动下,栅极电荷最大为 10nC,保证了MOSFET能在高频场合保持较快的开关速度。
阈值电压(Vgs(th)):在 250μA 的条件下,Vgs(th) 最高为 1.5V,意味着该器件能够在低电压下实现较好的导通,从而提高了逻辑控制和驱动的灵敏度。
AO6800 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C(TJ),这表明该器件适用于各种极端环境,满足了航空航天、汽车以及工业设备等对元器件性能的严格要求。
该 MOSFET 的最大功率值为 1.15W,适合用于有限空间内的小型电源管理、驱动电路等应用,同时有效保障了系统的热管理。
AO6800 的广泛应用场景包括但不限于:
AO6800 MOSFET 是一款兼具高性能和高可靠性的 N-通道场效应管,适用于多种工业和消费应用,是当前市场上先进电子设备不可或缺的核心元件之一。通过精确的电气特性,优化的热管理能力,以及小型的封装设计,AO6800 不仅可以满足设计师对性能的需求,同时也有助于缩小产品体积,提高集成度,实现更加高效的电子解决方案。