2SK3878(STA1,E,S) 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

2SK3878(STA1,E,S)

商品编码: BM0000280138
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
TO-3P
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 150W 900V 9A 1个N沟道 SC-65
库存 :
88(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
7.42
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.42
--
100+
¥5.94
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SK3878(STA1,E,S)参数

功率(Pd)150W反向传输电容(Crss@Vds)45pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1Ω@10V,4A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V
漏源电压(Vdss)900V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.2nF连续漏极电流(Id)27A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA

2SK3878(STA1,E,S)手册

2SK3878(STA1,E,S)概述

产品概述: 2SK3878 (STA1, E, S) N沟道MOSFET

一、基本信息

产品名称:2SK3878
类型:N沟道场效应管 (MOSFET)
功率:150W
电压:900V
持续电流:9A
封装:TO-3P
品牌:TOSHIBA (东芝)

二、产品特性

1. 高电压与高功率处理能力 2SK3878的额定电压为900V,功率可达150W,能够满足高电压和大功率应用的要求。这使得该器件非常适合在电力电子设备、高压电源转换器、工业控制系统等场合使用,能够承受较高的运行电压并保持稳定性。

2. 优异的导通电阻 该MOSFET的低导通电阻特性使得在完全导通状态下具有较低的功耗和发热量。这一特性不仅提高了整体电流效率,还延长龙电流持续工作的时间,保证设备的长期稳定运行。

3. 高开关速度 2SK3878的高开关速度使其在快速开关电路、开关电源转换器和脉冲功率应用中表现优异。快速的响应时间减少了开关操作中的损耗,提高了系统的整体性能。

4. 优良的热管理性能 使用TO-3P封装的2SK3878对于热量的散发表现出色,有助于器件在高温环境下保持其性能和寿命。良好的散热设计是实现高稳定性和高性能的关键,特别是在高功率应用中。

5. 过载保护能力 该元器件在设计上考虑了过载保护,其内建的特性使其能够在过流或过压的情况下避免损坏,确保系统的安全性。

三、应用场景

2SK3878是一款多功能的N沟道MOSFET,广泛应用于以下领域:

1. 开关电源 在开关电源(SMPS)中,由于其高电压和高功率特性,2SK3878能够高效地进行能量转换,在交流和直流之间实现快速转换,支持高效能的电能管理。

2. 电机驱动 在电机驱动应用中,该器件能够通过准确控制电流,优化电机的启动、运行和停止过程,实现电机的高效控制,尤其适用于高压直流电机驱动系统。

3. 工业控制系统 在各类工业自动化设备及控制系统中,2SK3878能够满足需求,广泛用于继电器驱动、传感器数据采集以及各种控制信号调节,推动更高效智能的工业运作。

4. 逆变器 该MOSFET适合用于可再生能源系统的逆变器设计中,如太阳能逆变器和风能逆变器。通过其高效的开关特性和热性能,支持可再生能源的高效转化和输出。

5. 高频应用 在高频电路中,2SK3878凭借其优异的开关特性,能够保持良好的工作效率,适合用于各种无线电频率的应用。

四、总结

总体而言,2SK3878 N沟道MOSFET凭借其出色的高电压、高功率处理能力、优异的导通电阻和热管理性能,成为许多高性能电子设备和系统不可或缺的一部分。无论是在开关电源、电机驱动还是工业控制等应用中,都能够显著提升系统的效率和可靠性。其高开关速度与保护能力使其在复杂的电力电子应用中表现出色,广泛满足市场需求。作为东芝品牌下的一款高性能元器件,2SK3878将为设计师提供更多灵活应用的可能,推动电子技术的进步与创新。