功率(Pd) | 150W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 45pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V,4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 900V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.2nF | 连续漏极电流(Id) | 27A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
产品名称:2SK3878
类型:N沟道场效应管 (MOSFET)
功率:150W
电压:900V
持续电流:9A
封装:TO-3P
品牌:TOSHIBA (东芝)
1. 高电压与高功率处理能力 2SK3878的额定电压为900V,功率可达150W,能够满足高电压和大功率应用的要求。这使得该器件非常适合在电力电子设备、高压电源转换器、工业控制系统等场合使用,能够承受较高的运行电压并保持稳定性。
2. 优异的导通电阻 该MOSFET的低导通电阻特性使得在完全导通状态下具有较低的功耗和发热量。这一特性不仅提高了整体电流效率,还延长龙电流持续工作的时间,保证设备的长期稳定运行。
3. 高开关速度 2SK3878的高开关速度使其在快速开关电路、开关电源转换器和脉冲功率应用中表现优异。快速的响应时间减少了开关操作中的损耗,提高了系统的整体性能。
4. 优良的热管理性能 使用TO-3P封装的2SK3878对于热量的散发表现出色,有助于器件在高温环境下保持其性能和寿命。良好的散热设计是实现高稳定性和高性能的关键,特别是在高功率应用中。
5. 过载保护能力 该元器件在设计上考虑了过载保护,其内建的特性使其能够在过流或过压的情况下避免损坏,确保系统的安全性。
2SK3878是一款多功能的N沟道MOSFET,广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 在开关电源(SMPS)中,由于其高电压和高功率特性,2SK3878能够高效地进行能量转换,在交流和直流之间实现快速转换,支持高效能的电能管理。
2. 电机驱动 在电机驱动应用中,该器件能够通过准确控制电流,优化电机的启动、运行和停止过程,实现电机的高效控制,尤其适用于高压直流电机驱动系统。
3. 工业控制系统 在各类工业自动化设备及控制系统中,2SK3878能够满足需求,广泛用于继电器驱动、传感器数据采集以及各种控制信号调节,推动更高效智能的工业运作。
4. 逆变器 该MOSFET适合用于可再生能源系统的逆变器设计中,如太阳能逆变器和风能逆变器。通过其高效的开关特性和热性能,支持可再生能源的高效转化和输出。
5. 高频应用 在高频电路中,2SK3878凭借其优异的开关特性,能够保持良好的工作效率,适合用于各种无线电频率的应用。
总体而言,2SK3878 N沟道MOSFET凭借其出色的高电压、高功率处理能力、优异的导通电阻和热管理性能,成为许多高性能电子设备和系统不可或缺的一部分。无论是在开关电源、电机驱动还是工业控制等应用中,都能够显著提升系统的效率和可靠性。其高开关速度与保护能力使其在复杂的电力电子应用中表现出色,广泛满足市场需求。作为东芝品牌下的一款高性能元器件,2SK3878将为设计师提供更多灵活应用的可能,推动电子技术的进步与创新。