额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 800mA |
集射极击穿电压Vce | 32V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 800mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 100mA,3V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 150MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SMT3 |
2SD1781KT146R是一款高性能的NPN型晶体管,引入了ROHM(罗姆)品牌的优质制造工艺,广泛应用于各种电子设备中。该器件的额定功率为200mW,极大地满足了低功耗电路设计的需求。其集电极电流(Ic)最大为800mA,适合于高负载的电流放大应用。
该晶体管在不同的电流和电压条件下,展示了良好的性能。例如,在Ic为50mA和500mA时,Vce饱和压降最大为400mV至500mV,显示了其优良的开关特性。同时,其集电极截止电流(ICBO)最大值为500nA,表明该器件的漏电流非常小,有助于提高整个电路的性能和效率。
在不同的Ic和Vce条件下,2SD1781KT146R的直流电流增益(hFE)最小值为180 @ 100mA、3V。这一高增益数值,表明该晶体管能够在小信号输入下,实现较大的输出信号,适合于放大器和开关电路等应用。
此款晶体管采用SMT3封装形式,封装类型为TO-236-3 (也称为SOT-23-3),具有小型化和轻量化的特点,非常适合于现代电子产品的小型化设计需求。表面贴装型的设计使得在PCB板上布线更加简便,同时便于实现自动化贴片生产,提高了生产效率。
2SD1781KT146R广泛应用于多个电子领域,包括但不限于:
总的来说,2SD1781KT146R是一款高效能的NPN三极管,凭借其高集电极电流、低功耗、高频响应和耐高温特性,使其在多种电子应用中成为理想选择。ROHM提供的这一产品,不仅在技术规格上展示出色,也在市场竞争中有着绝对的优势,为电子设计师提供了灵活的解决方案,是提升电路性能的理想元件。