额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 32V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 800mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 500mA,3V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | MPT3 |
2SD1766T100R是由ROHM(罗姆)公司生产的一款高性能NPN晶体管,其主要应用于高功率放大器和开关电路等领域。该器件在表面贴装型封装(TO-243AA)中提供出色的电气性能,非常适合于要求小型化、轻量化的电子产品。
2SD1766T100R产品设计考虑了高温和高功率的需求,适用于模数转换器、音频放大、无线通讯等方面。NPN类型的结构使其在较高频率和功率环境下表现出良好的线性特性。该晶体管的优越性能还包括了出色的频率响应和高增益特性,使其在多种应用中能够高效执行信号放大和开关任务。
该器件采用MPT3(SOT-89)封装,使得其在电路板上占用较少的空间,这对于现代紧凑型电子设备尤为重要。表面贴装型设计也使得2SD1766T100R适合于自动化的焊接工艺,提高了生产效率和生产质量。
2SD1766T100R广泛应用于多个领域,包括但不限于:
2SD1766T100R是一款性能优越、应用广泛的NPN晶体管,具备出色的电气特性和良好的热稳定性。其设计使其能够在高速和高功率应用场合下,提供可靠、稳定的性能,满足现代电子设备对小型化和高效能的严格要求。无论是在家用电器,还是高端通信设备中,2SD1766T100R都是一种值得信赖的选择,为设计工程师提供了灵活而强大的解决方案。