额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 5A |
集射极击穿电压Vce | 20V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 100mA,4A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 500mA,2V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 120MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | MPT3 |
2SB1386T100R 是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),由著名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产。该产品专为一般电子应用而设计,具有较高的输出电流和功率能力,适用于驱动和开关电路。
额定功率:该晶体管的额定功率为2W,适合在高负载条件下工作,能够满足较大功率要求的应用。
集电极电流(Ic):最大集电极电流为5A,适合驱动强负载,广泛应用于功率放大和开关电路。
集射极击穿电压(Vce):该器件的集射极击穿电压为20V,保证了其在高电压操作下的安全性和稳定性,适用于各种低压应用场合。
饱和压降(Vce(sat)):不同的Ib、Ic条件下,其Vce饱和压降的最大值为1V(在100mA和4A工作条件下)。较低的饱和压降有助于提高电路的能效,减小功耗。
截止电流(ICBO):该器件的集电极截止电流最大为500nA,表现出良好的关闭特性,能有效降低静态电流,提高整体性能稳定性。
DC电流增益(hFE):在500mA集电极电流和2V饱和电压下,最小DC电流增益可达180,提供良好的增益特性,适合高增益应用。
工作频率:跃迁频率为120MHz,使得该晶体管适合高频信号处理及开关应用。
工作温度:其工作温度范围高达150°C(结温),使其在恶劣环境条件下仍能保持可靠工作。
封装和安装类型:2SB1386T100R采用SOT-89封装类型,安装方式为表面贴装型,适合现代电路板设计,节省空间并提高装配效率。
由于建构了高效的电流放大和开关能力,2SB1386T100R在多个领域得到了广泛应用,包括但不限于:
音频放大:可用于音频功率放大器中,提供清晰的输出和高峰值功率。
开关电源:在电源管理电路中,凭借高集电极电流和低饱和压降,能够有效地进行开关控制,提升电源的转换效率。
线性驱动:此器件可用于驱动负载,如电机或继电器,能够满足高负载要求并降低能耗。
信号放大:适用于射频(RF)放大电路,促进高频通信的信号传输。
2SB1386T100R 是一款性能优越的PNP型三极管,具有高额定功率、高电流和低饱和压降的特性,适合多种电子应用。其140MHz的工作频率确保了在高频操作中的应用灵活性。同时,表面贴装的设计,使其与现代电子产品的紧凑性和高密度设计相得益彰。对于设计者和工程师而言,这款晶体管是实现高性能与节能之间平衡的理想选择。ROHM公司凭借强大的研发能力和丰富的行业经验,使得2SB1386T100R成为市场上颇具竞争力的产品。