2SB1198KT146R
2SB1198KT146R参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 500mA |
| 集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 180 @ 100mA，3V | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 频率 - 跃迁 | 180MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
2SB1198KT146R手册
2SB1198KT146R概述
产品概述：2SB1198KT146R
一、基本信息
2SB1198KT146R 是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT)，其设计专为高频开关和放大应用而优化。该器件以其出色的电气性能和宽广的工作温度范围，在消费电子、通信设备及工业控制等多个领域中得到广泛应用。此晶体管由全球知名的半导体制造商ROHM（罗姆）生产，确保了其高度可靠性和优越的性能。
二、关键参数
额定功率与集电极电流：该器件的额定功率为200mW，能够承受的最大集电极电流（Ic）为500mA。这使其适用于需要中等功率的驱动和放大电路。
集射极击穿电压：2SB1198KT146R的集射极击穿电压（Vce）为80V，意味着它可以在较高电压的环境中工作而不发生击穿，增强了设计的灵活性。
饱和电压和电流增益：在不同的集电极电流（Ic）和基极电流（Ib）情况下，该器件的最大饱和压降为500mV。这对于高效开关电路至关重要。其DC电流增益（hFE）在100mA和3V时的最小值为180，意味着在低输入电流的情况下，能够实现较高的输出电流，为放大应用提供了强大的支持。
截止电流：在集电极截止状态下，最大集电极截止电流（ICBO）为500nA，这为低功耗应用提供了可靠的性能。
频率响应与温度特性：该器件的频率跃迁达到180MHz，显示出良好的高频性能，适合高速应用。同时，工作温度范围高达150°C（TJ），使其在严苛环境中也能稳定工作。
封装与安装类型：2SB1198KT146R采用表面贴装型(SMT)封装，符合TO-236-3（SOT-23-3）的标准，有利于自动化生产和高度密集的电路设计。
三、应用场景
2SB1198KT146R适用于多种应用场景：
- 消费电子产品：如音频放大器、信号处理器和便携式设备，要求设备体积小巧而性能优良。
- 通信设备：其高频响应特性使其适合用于通信发射器和接收器、调制解调器等设备，提供强大的信号放大能力。
- 工业控制：在传感器、驱动电路及控制器中，2SB1198KT146R可实现精确的信号处理和高效的功率传输。
四、设计考虑
在选择和使用2SB1198KT146R时，设计工程师需对其工作环境、电流和电压需求进行详细分析，以确保其在设计中发挥最佳性能。此外，由于其高工作温度极限，适合在高温环境中工作的设备。
五、总结
2SB1198KT146R凭借其优异的电流与电压特性、卓越的频率响应以及可靠的工作温度范围，是一款理想的PNP型三极管。其设计和制造均满足现代电子产品对高性能和小型化的需求，为各类应用提供强大的支持。无论是在消费电子、通信还是工业控制领域，2SB1198KT146R都展现出其价值，是工程师不可或缺的选择。