2N7002-T1-GE3

2N7002-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

2N7002-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司出品的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有优异的电气特性和可靠性。它广泛应用于各种低功耗和中等功率的电子设备中，例如开关电源、低通道驱动电路和信号放大器。这款MOSFET的工作电压高达60V，漏极电流可达115mA，适合各种电子应用场合。

二、主要特性

1. 电气特性：

   • 漏源击穿电压（V(BR)dss）：60V。这使得该器件能够在高于一般逻辑电平的条件下运行，适用于需要高电压的场合。
   • 连续漏极电流（Id）：115mA（在25°C下）。此特性保证了在正常工作条件下的可靠性和稳定性。
   • 导通电阻（Rds(on)：7.5Ω（在最大条件下为500mA和10V的驱动电压）。较低的导通电阻能够减少功耗，提升效率。
   • 阈值电压（Vgs(th)：2.5V@250µA。这一特性使得MOSFET在低电压下即可开启，适合与低通道信号电平兼容的应用。

2. 封装与机械特性：

   • 封装类型：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3，便于表面贴装，节省空间。
   • 工作温度范围：-55°C 至 150°C，适合在极端环境条件下使用。

3. 功率及散热：

   • 功率耗散：200mW。这意味着设备在正常工作条件下产生的热量相对较低，有助于提高系统的整体可靠性。

4. 驱动电压：

   • 驱动电压的要求为最小5V，最大10V，确保器件在各种运行状态下的快速响应。

5. 输入电容：

   • 输入电容（Ciss）最大值为50pF（在25V下），使得设备能够在高频应用中显著减少延迟，提高系统响应速度。

三、应用领域

2N7002-T1-GE3 的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：

• 开关电源：可以用于DC-DC转换器中的开关元件，在高频开关条件下提供高效能和高度可靠性。
• 低功耗逻辑电路：在微处理器和单片机的输出级，可用作信号放大和开关控制。
• 马达驱动：适合小型直流马达的驱动，能够有效控制马达的启停和速度调节。
• 灯光控制：在自动照明或LED驱动电路中使用，提供控制通道的简易方法。
• 模拟信号开关：能够在模拟信号处理电路中作为通道切换的开关，提升电路的灵活性。

四、总结

2N7002-T1-GE3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其60V的击穿电压、115mA 的连续漏极电流及多种优良的电气和机械特性，适用于广泛的电子应用。其小巧的封装和低功耗特性使得它成为现代电子设计中的重要组成部分，特别是在对尺寸和能效均有严格要求的设计中表现出色。VISHAY（威世）的这一产品以其优秀的品质和可靠的性能，已成为多个行业的重要选择。