DMG3406L-13
DMG3406L-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.6A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 3.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 770mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 495pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 770mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG3406L-13手册
DMG3406L-13概述
产品概述：DMG3406L-13
简介
DMG3406L-13是一款高性能的N沟道MOSFET，旨在满足各种电子应用中对高效能和低功耗的要求。它的主要特点包括最大漏源电压30V、连续漏极电流3.6A，以及出色的导通电阻和功率耗散能力，使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。
技术规格
该器件的基础参数非常出色。漏源电压（Vdss）为30V，适合高压电路中的开关应用。其连续漏极电流（Id）在25°C环境下达到3.6A，保证了在常规工作条件下稳定可靠的性能。此外，其栅源极阈值电压为2V @ 250µA，意味着它在较低的驱动电压条件下就能够开启，大大提升了系统的兼容性与效率。
DMG3406L-13的漏源导通电阻（Rds On）为50mΩ（在3.6A, 10V条件下），这使得其在导通状态下的功耗最低化，提高了整体能效。该器件还支持多种驱动电压，其中最大导通电阻可在4.5V至10V之间应用，这进一步拓宽了其应用范围。
最大功率耗散能力为770mW (Ta=25°C)，允许其在相对较高的工作载荷下运作。在严酷的环境下，其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保其在极端条件下的可靠性和稳定性。此外，DMG3406L-13的输入电容（Ciss）最大值为495pF @ 15V，表明其较低的输入电流需求，从而简化驱动电路的设计。
封装与安装
DMG3406L-13采用表面贴装型(SMD)封装，具体封装类型为SOT-23 (TO-236-3 / SC-59)。这种紧凑型封装设计适应现代电子设备的小型化发展趋势，能够有效节省电路板空间，进一步提升设备的整体性能。
应用场景
DMG3406L-13广泛应用于各种电子设备和系统中，尤其适合以下应用场景：
电源开关：在电源管理和开关电源（SMPS）中，通过其高效能特性，可作为高效的开关元件，提高系统的能源利用率。
马达驱动：在电动机驱动电路中，低导通电阻能够降低能量损失，提高马达控制的效率。
自动化和控制系统：在各种工业控制和自动化装置中，DMG3406L-13能够提供稳定和可靠的性能。
消费电子：广泛应用于各种消费品中，如智能手机、平板电脑及其他便携式设备，提升其电池使用时间。
总结
DMG3406L-13是一款优秀的N沟道MOSFET，凭借其出色的电流和电压指标、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，能够很好地满足各种电子工程应用的需求。无论是在电力转换、马达控制还是复杂的消费电子产品中，DMG3406L-13都展现出强大而持久的性能。因此，无论是设计师还是工程师，这款元件都将是其高效能设计的不二之选。