DMG2301LK-7
DMG2301LK-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 156pF @ 6V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.4nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 功率耗散（最大值） | 840mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
DMG2301LK-7手册
DMG2301LK-7概述
DMG2301LK-7 产品概述
产品简介
DMG2301LK-7是一款高性能的P沟道MOSFET，属于DIODES品牌的产品。它采用表面贴装型（SMD）封装的SOT-23形式，非常适合用于空间受限的应用场景。该MOSFET在多个电气特性参数上表现突出，尤其是其较低的导通电阻和广泛的工作温度范围，使其在各类电子电路中发挥重要作用。
电气特性
导通电阻 (Rds(on)): 在1A、4.5V的条件下，DMG2301LK-7的最大导通电阻为160毫欧。这一参数确保了MOSFET在工作时能够保持较低的功耗，从而提高了系统的整体能效。
漏极电流 (Id): 该MOSFET在25°C的环境温度下，能够承受高达2.4A的连续漏极电流，尤其适用于需要高电流控制的应用。
漏源电压 (Vdss): DMG2301LK-7的漏源电压为20V，适合用于低至中等电压应用场景。
栅极驱动电压 (Vgs): 此器件支持的栅极驱动电压包括1.8V（最小 Rds On 值）和4.5V（最大 Rds On 值）。这意味着其能够在多种电压环境下正常驱动，增加了设计灵活性。
温度范围: DMG2301LK-7的工作温度范围为-55°C到150°C，能够适应严苛的工作环境，满足不同工业及消费类电子产品的需求。
输入电容 (Ciss): 在6V时，输入电容的最大值为156pF，这有助于控制开关速度，提高开关效率，降低时延。
栅极电荷 (Qg): 在10V的条件下，栅极电荷的最大值为3.4nC，表现出良好的开关特性，对于高频开关应用尤为重要。
功率耗散: 该MOSFET的最大功率耗散能力为840mW，进一步增强了其在功率管理中的应用潜力。
阈值电压 (Vgs(th)): 不同 Id 时的阈值电压（最大值）为1V @ 250µA，表明该产品在低电压下也能有效启动，适合添加于低功耗电路中。
应用场景
DMG2301LK-7的设计使其适用于多种应用场合，包括但不限于：
- 电源管理: 可用于DC-DC转换器、开关电源等各种电源调节电路中，有效提升能效和降低热量。
- 负载开关: 此MOSFET适合用于各种负载的开关控制，如电机控制、LED驱动等，能够实现高效、可靠的负载切换。
- 音频放大器: 在音频相关应用中，DMG2301LK-7能够提供低失真、高效率的开关控制，提升音频质量。
- 电池管理系统: 其低导通电阻和高电流承受能力使其成为电池充放电管理不可或缺的组件。
- 消费类电子产品: 在智能手机、平板电脑等设备中，DMG2301LK-7的高效能特性非常契合便携设备对功率和空间的严格要求。
总结
DMG2301LK-7是一款高性能的P沟道MOSFET，凭借其出色的电气特性和多种应用场景，成为了电子设计工程师在产品开发中的理想选择。无论是在电源管理、负载控制，还是在工业与消费类产品中，DMG2301LK-7均显示出强大而可靠的性能。理想的工作温度范围及低导通电阻的特性，更是为其在现代电子行业中的应用拓宽了边界。