DMC3021LSD-13
DMC3021LSD-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.1A,7A |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 21mΩ @ 7A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A，7A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.1nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 767pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMC3021LSD-13手册
DMC3021LSD-13概述
DMC3021LSD-13 产品概述
产品名称：DMC3021LSD-13
品牌：DIODES（美台）
封装类型：SO-8
功能类型：N沟道与P沟道MOSFET
一、基本参数
DMC3021LSD-13是一款高性能的场效应管（MOSFET），设计用于广泛的电子电路应用。其主要电气特性如下：
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：
- N沟道：最大8.5A（在25°C时）
- P沟道：最大7A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：
- 2.1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（RDS(on)）：21mΩ @ 7A, 10V
- 最大功率耗散（Pd）：2.5W（Ta=25°C）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 栅极电荷（Qg）：16.1nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：767pF @ 10V
二、应用领域
DMC3021LSD-13的设计使其非常适合于低功耗和高效率电子设备。其N沟道和P沟道的组合可以满足复杂电路的驱动需求，特别适用于：
- DC-DC转换器
- 开关电源
- 电机驱动
- LED照明控制
- 可穿戴设备
- 电池管理系统
三、技术优势
高效能：DMC3021LSD-13凭借其低导通电阻（RDS(on) = 21mΩ），可以在高负载条件下有效减少功率损耗，从而提升整体能源效率。这使得其在高功率应用中尤其受欢迎。
宽工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围扩展至-55°C至150°C，使其可以在极端环境下可靠工作，适合于汽车电子、工业控制和恶劣气候应用。
紧凑的封装：SO-8封装设计不仅有助于节省电路板空间，同时也便于自动化贴装，有助于提高生产效率。
双通道设计：N沟道和P沟道的双重设计，使得DMC3021LSD-13可以用于多种电路方式（例如H桥配置），为设计师提供了更多的灵活性。
四、电气特性分析
栅源极阈值电压：2.1V的阈值电压确保在逻辑电平驱动下，MOSFET能够迅速导通，适合于逻辑电平的控制，优化了在低电压条件下的性能。
漏源导通电阻：21mΩ的低导通电阻为其实现高电流负载提供了可靠性，降低了发热并提高了系统整体稳定性。
输入电容：767pF的输入电容在高频应用下表现出色，增强了开关速度和整体响应。
栅极电荷：16.1nC的栅极电荷表明该MOSFET在高速切换时的特性，能够在高频条件下实现可靠的操作。
五、总结
DMC3021LSD-13是一个高效、可靠且适用范围广泛的N沟道和P沟道MOSFET，其32V的漏源电压和8.5A的连续漏极电流使其能够满足多数商业和工业应用需求。通过采用高效的封装类型和优化的电气特性，这款MOSFET在现代电子设计中是一个不可多得的选择，为工程师在构建高性能电路时提供了强大的支持。无论是在电源管理、信号处理，还是在高级控制系统，DMC3021LSD-13都展现出了优异的性能优势，是实现高效能、高可靠性系统设计的理想选择。