漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 8.2A,6.2A |
栅源极阈值电压 | 2.3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 16mΩ @ 12A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.2W | 类型 | N沟道和P沟道 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.2A,6.2A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25.1nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1415pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 1.2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMC3016LSD-13 是一款由美台(DIODES)公司推出的双极场效应管(MOSFET),具有广泛的应用场景。该器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道的功率 MOSFET,封装为表面贴装型 SO-8,使其在尺寸紧凑的同时,能够支持相对较高的功率和电流。这些特性使 DMC3016LSD-13 特别适合于多种电子电路中的电源管理及开关应用。
漏源电压 (Vdss): 该器件的漏源电压最大值为 30V,这使得 DMC3016LSD-13 适合于中压应用,如 DC-DC 转换器、开关电源等。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,N 沟道的连续漏极电流可达 8.2A,而 P 沟道则为 6.2A。这一特性使得该器件在负载较重的情况下仍能够稳定工作。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的测试条件下,该器件的栅源极阈值电压为 2.3V,确保了它在低电压驱动情况下的可控性,适合采用逻辑电平信号驱动。
漏源导通电阻 (RDS(on)): 在 12A 和 10V 的条件下,器件的漏源导通电阻为 16mΩ,这表示在通电时的功率损耗非常小,有助于提高整体系统的能效。
最大功率耗散: DMC3016LSD-13 的最大功率耗散为 1.2W,使其在多种应用环境中表现良好,具有良好的热管理性能。
工作温度范围: 该器件可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内正常工作,适用于极端环境下的应用。
DMC3016LSD-13 使用 8-SOIC 封装,封装尺寸为 0.154"(3.90mm)。其表面贴装(SMD)类型设计,便于自动化生产和紧凑型电路设计。这种小型封装不仅节省了PCB空间,也提高了散热性能。
DMC3016LSD-13 可广泛应用于以下领域:
DMC3016LSD-13 的设计理念是满足现代电子应用对高性能、低功耗和小型化的要求。凭借其优异的电气特性和广泛的工作范围,该器件在各种应用中都能提供可靠的性能。因此,对于需要集成高效、大电流开关和管理功能的设计师来说,DMC3016LSD-13 是一个理想的选择。