DMC3016LSD-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMC3016LSD-13

商品编码: BM0000280068
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.246g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 8.2A;6.2A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
库存 :
2081(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.58
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.58
--
100+
¥1.22
--
1250+
¥1.06
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC3016LSD-13参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.2A,6.2A
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA漏源导通电阻16mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.2W类型N沟道和P沟道
FET 类型N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.2A,6.2A不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)16 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)25.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1415pF @ 15V功率 - 最大值1.2W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装8-SO

DMC3016LSD-13手册

DMC3016LSD-13概述

DMC3016LSD-13 产品概述

DMC3016LSD-13 是一款由美台(DIODES)公司推出的双极场效应管(MOSFET),具有广泛的应用场景。该器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道的功率 MOSFET,封装为表面贴装型 SO-8,使其在尺寸紧凑的同时,能够支持相对较高的功率和电流。这些特性使 DMC3016LSD-13 特别适合于多种电子电路中的电源管理及开关应用。

主要参数

  1. 漏源电压 (Vdss): 该器件的漏源电压最大值为 30V,这使得 DMC3016LSD-13 适合于中压应用,如 DC-DC 转换器、开关电源等。

  2. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,N 沟道的连续漏极电流可达 8.2A,而 P 沟道则为 6.2A。这一特性使得该器件在负载较重的情况下仍能够稳定工作。

  3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的测试条件下,该器件的栅源极阈值电压为 2.3V,确保了它在低电压驱动情况下的可控性,适合采用逻辑电平信号驱动。

  4. 漏源导通电阻 (RDS(on)): 在 12A 和 10V 的条件下,器件的漏源导通电阻为 16mΩ,这表示在通电时的功率损耗非常小,有助于提高整体系统的能效。

  5. 最大功率耗散: DMC3016LSD-13 的最大功率耗散为 1.2W,使其在多种应用环境中表现良好,具有良好的热管理性能。

  6. 工作温度范围: 该器件可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内正常工作,适用于极端环境下的应用。

封装与安装

DMC3016LSD-13 使用 8-SOIC 封装,封装尺寸为 0.154"(3.90mm)。其表面贴装(SMD)类型设计,便于自动化生产和紧凑型电路设计。这种小型封装不仅节省了PCB空间,也提高了散热性能。

应用领域

DMC3016LSD-13 可广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 在开关电源中,MOSFET 的快速开关特性可以显著提高电源的转换效率,从而实现电源小型化和高效化。
  • 电机驱动: 可用于电机的控制和驱动电路,尤其是在低电压小功率电机系统中。
  • LED 驱动: 在 LED 照明系统中,DMC3016LSD-13 的高效能能够提升电源转换的效率,延长 LED 的使用寿命。
  • DC-DC 转换器: 在升压或降压转换器中,MOSFET 的性能能够有效改善整体转换效率,提供稳定的输出。

结论

DMC3016LSD-13 的设计理念是满足现代电子应用对高性能、低功耗和小型化的要求。凭借其优异的电气特性和广泛的工作范围,该器件在各种应用中都能提供可靠的性能。因此,对于需要集成高效、大电流开关和管理功能的设计师来说,DMC3016LSD-13 是一个理想的选择。