DMC2450UV-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT563
包装 :
编带
重量 :
0.029g
描述 :
场效应管(MOSFET) 450mW 20V 1.03A；700mA 1个N沟道+1个P沟道 SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.501按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.501
--
200+
￥0.323
--
1500+
￥0.281
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMC2450UV-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.03A,700mA |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 480mΩ @ 200mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 450mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.03A，700mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 200mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 37.1pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 450mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
DMC2450UV-7手册
DMC2450UV-7概述
DMC2450UV-7 产品概述
DMC2450UV-7 是一款高性能 MOSFET（场效应管），能够满足各种低功耗应用的需求。该器件由美台（DIODES）品牌制造，采用表面贴装型（SMD）封装，主要用于电源管理和开关应用。DMC2450UV-7 同时集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET，极大地便利了设计工程师在电路设计中的应用灵活性。以下是该器件的主要参数及其应用的详细说明。
主要技术规格
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 1.03A (N 沟道) 和 700mA (P 沟道)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 900mV @ 250µA
- 漏源导通电阻: 480mΩ @ 200mA, 5V
- 栅极电荷 (Qg): 0.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 37.1pF @ 10V
- 最大功率耗散: 450mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装类型: SOT-563, SOT-666
特性与优点
宽电压范围: DMC2450UV-7 的漏源电压最大为20V，使其适用于多种低压电源应用，包括便携式设备和电池供电的项目。
高连续漏极电流: 其在 25°C 下可支持的 1.03A（N 沟道）和 700mA（P 沟道）提供了良好的电流处理能力，适合用于电流需求较高的电路。
低导通电阻: 器件在 200mA、5V 条件下的导通电阻为 480mΩ，表明其在导通状态下的功耗较低，能够提高整体效率，减少热量生成，非常适合于高效电源应用。
高温耐受性: DMC2450UV-7 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适用于严苛环境中的应用，例如工业设计和汽车电子产品。
小型封装: SOT-563 封装设计使得 DMC2450UV-7 具有较小的足迹，适合空间受限的设计，能够方便地集成到密集的电路板中。
应用场景
DMC2450UV-7 可广泛应用于诸多领域，包括但不限于：
- 电源管理: 适用于开关电源和线性电源的设计，能够有效控制电源的开启与关闭。
- LED 驱动器: 在 LED 驱动器电路中提供高效的开关控制。
- 电池管理系统: 对锂电池等储能设备进行良好的管理与控制，提高充电效能和延长电池寿命。
- 通信设备: 在射频（RF）和数据通信设备中作为开关元件，优化信号传输。
- 消费类电子: 在手机、平板电脑等便携设备中使用，以保持高能效和延长电池续航。
结论
DMC2450UV-7 以其出色的电气性能、宽广的工作温度范围及低功耗特性，成为现代电子电路设计中不可或缺的元器件。通过结合 N 沟道和 P 沟道的特性，设计师可以更灵活地解决电源管理和开关控制的问题。这种 MOSFET 的多功能性和高效性使其在多种应用中成为理想选择，对于追求高性能和可靠性的电子产品来说，DMC2450UV-7 无疑是一个优质的选择。