额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
概述
DDTC114YUA-7-F 是一款高性能的 NPN 型数字晶体管,专为满足各种电子应用中的开关和放大功能而设计。其额定功率为 200mW 的特点使得它在低功耗应用中具有卓越的性能,而其集电极电流 (Ic) 可达到 100mA,集射极击穿电压 (Vce) 为 50V,使其可以在多种电压和电流条件下稳定工作。
主要特性
功率与电流规格:该晶体管的额定功率为 200mW,能够承受最高 100mA 的集电极电流 (Ic),使其适用于多种小型电子电路。其集射极击穿电压 (Vce) 最大为 50V,确保了在较高电压下仍然能够安全工作。
电流增益:在特定测试条件下,即当 Ic 为 5mA,Vce 为 5V 时,该晶体管可实现最小 DC 电流增益 (hFE) 达到 68。这种增益性能使得 在需要高效信号放大的场合非常适用。
饱和压降:在电流 - 集电极截止条件下,当 Ib 为 250µA 和 Ic 为 5mA 时,其 Vce 饱和压降最大为 300mV。这一低饱和压降特性使得晶体管在开关应用中能够降低能量损耗,从而提高整体效率。
低截止电流:该器件的集电极截止电流最大为 500nA,展现出优异的静态性能,对于需要低待机电流的应用场合极为重要。
频率表现:具有最高 250MHz 的跃迁频率,可广泛应用于高频信号处理场景。这种高频性能使得 DDTC114YUA-7-F 特别适用在快速开关及振荡器电路中。
封装与安装:DDTC114YUA-7-F 采用 SOT-323 封装,是表面贴装型组件,尺寸小巧、节省空间,适用于空间有限的电路设计。这种封装方式也便于自动化生产和高效组装。
应用领域
DDTC114YUA-7-F 作为一款功能多样的 NPN 晶体管,广泛应用于诸如:
产品优势
高效能与可靠性:得益于其低饱和压降、低截止电流,高增益和较高空间利用率,DDTC114YUA-7-F 系列能够在多种应用场景中提供更高的效率及可靠性。
小型化设计:SOT-323 封装使得产品在小型电子设备中的应用更加灵活,满足现代设备对空间的苛刻要求。
易于使用:预偏置设计的特点使得此晶体管在使用时更加简便,尤其在多种电路设计中只需简单配置即可实现良好性能。
总结
综上所述,DDTC114YUA-7-F 是一款在功率、电压和电流等多方面指标上均表现优异的 NPN 数字晶体管。其适应性强、可广泛应用于现代电子产品,尤其是在高度集成、空间有限的设备中,凭借其小巧的体积和高效能,无疑是设计师的理想选择。选择 DDTC114YUA-7-F,可为您的电子项目带来高可靠性和高性能的保障。