极性 | Bidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 6A (8/20us) |
箝位电压 | 14V | 击穿电压(最小值) | 6V |
反向关断电压(典型值) | 5V (Max) | 类型 | 齐纳 |
双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 6V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 14V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 6A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 84W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 15pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0201(0603 公制) |
供应商器件封装 | X3-DFN0603-2 |
产品概述:
D5V0L1B2LP3-7是一款由美台(DIODES)品牌生产的高性能瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),设计用于保护敏感电子元器件免受过压和瞬态脉冲的损害。此型号采用表面贴装封装,符合现代电子设备对体积小、重量轻的要求,特别适合空间有限的应用场合。
D5V0L1B2LP3-7的主要电气特性包括:
D5V0L1B2LP3-7广泛应用于多个领域,主要包括:
D5V0L1B2LP3-7是当今电子行业中防止过压损伤的重要组件之一,其低击穿电压、高峰值脉冲电流承载能力和优良的温度适应性,使其成为众多电子设计的理想选择。随着智能设备和通信网络的快速发展,D5V0L1B2LP3-7在未来市场中的需求将持续增长,建议设计工程师和采购人员将其纳入设计及选型考虑范围中,以确保产品的安全和稳定运行。