D44H11 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

D44H11

商品编码: BM0000280043
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.74g
描述 : 
三极管(BJT) 50W 80V 10A NPN TO-220
库存 :
1685(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.28
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.28
--
50+
¥1.75
--
1000+
¥1.46
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

D44H11参数

额定功率50W集电极电流Ic10A
集射极击穿电压Vce80V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)10A电压 - 集射极击穿(最大值)80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1V @ 400mA,8A电流 - 集电极截止(最大值)10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 4A,1V功率 - 最大值50W
工作温度150°C(TJ)安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB

D44H11手册

D44H11概述

D44H11 产品概述

D44H11 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高功率 NPN 晶体管,封装形式为 TO-220。这款产品专为高电流、高电压应用而设计,具有优良的热性能和高效的电流放大能力,广泛应用于电源管理、功率放大器、开关电源和调速控制电路等领域。

1. 主要参数

  • 额定功率:D44H11 的额定功率为 50W,使其能够在中高功率应用中稳定工作。
  • 集电极电流 (Ic):该晶体管的最大集电极电流为 10A,为负载提供了充足的驱动能力,适用于需要大电流的电路设计。
  • 集射极击穿电压 (Vce):D44H11 的集射极击穿电压高达 80V,这确保了其在高电压工作环境下的安全性和可靠性。
  • 饱和压降:在不同的集电极电流和电压条件下,该晶体管的饱和压降最大可达 1V @ 400mA 和 8A,表明其在工作时能够保持较低的导通损耗。
  • 直流电流增益 (hFE):在 4A 和 1V 的条件下,D44H11 的最低直流电流增益为 40,确保了良好的放大效果。
  • 截止电流:最大集电极截止电流为 10µA,说明该器件在非工作状态下的漏电流极小,有助于降低能耗。

2. 热性能及工作环境

D44H11 的工作温度范围为 -65°C 至 +150°C(结温),使其在不同工作环境下均能保持良好的性能,特别适合于高温运行的工业应用。此外,TO-220 封装设计提供了良好的热管理,能够有效散热,降低因过热导致器件性能下降的风险。

3. 封装与安装

D44H11 使用 TO-220AB 封装,这种封装形式的优势在于其出色的散热能力和便于安装的特性。通孔安装类型使得 D44H11 可以轻松集成到各种电路板上,适合于多种电子设备的设计和生产。

4. 应用场景

D44H11 广泛应用于各种电子电路,包括但不限于:

  • 开关电源:用于开关电源变换器中的功率放大,提供高效的电源转换。
  • 功率放大器:在音频放大或信号放大电路中,用于扩大输入信号的幅度。
  • 电机控制:在直流电机和步进电机驱动器中,可实现精确的电流控制与调速。
  • 线性与开关控制:用于温度控制、灯光调节等应用中,通过调节电流来实现精细控制。

5. 结论

凭借其卓越的性能和可靠的工作特点,D44H11 是一款非常理想的高功率 NPN 晶体管,适用于多种场景。STMicroelectronics 的优质制造工艺以及该器件在温度、功率和电流承受能力上的优秀表现,使它在各种电子工程项目、设备设计及工业应用中,成为工程师的优选组件。

如果您正在寻找一款具有高功率、高电压特性的晶体管,D44H11 无疑是您设计中的重要组成部分。无论是用于高性能的电源电路,还是驱动复杂的电机控制系统,D44H11 都能够满足您对效率和稳定性的需求。