FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.6 毫欧 @ 15A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.9V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.1nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 736pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 6W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 5-XFLGA |
供应商器件封装 | 5-PTAB(3x2.5) |
产品名称: CSD87588N
品牌: 德州仪器 (Texas Instruments)
封装类型: 5-XFLGA (5-PTAB)
应用领域: 开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、消费类电子产品、汽车电子等
CSD87588N 是一款高效的 N 通道 MOSFET,特别设计用于要求高性能与高功率的电子应用。该器件集成了两个 N 通道 FET,构成了一个半桥结构,能够高效驱动负载,并用于多种开关应用。受益于其低导通电阻、高阈值电压和广泛的工作温度范围,CSD87588N 是一款可靠且灵活的选择。
CSD87588N 采用 5-XFLGA 表面贴装封装,尺寸为 3mm x 2.5mm,适合自动化贴片技术,便于在空间有限的应用中使用。该封装设计支持高效的热管理,保证在高负载条件下的可靠工作。
CSD87588N 特别适合用在包括但不限于以下应用中:
CSD87588N 是一款专为高性能电源管理与驱动设计而优化的 N 通道 MOSFET。凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优异的热性能以及宽广的应用适应性,它在各类现代电子设计中展现了出色的性能与可靠性。无论是开关电源,还是高效率电机驱动,CSD87588N 都是工程师们值得关注的优秀选择。