CSD87588N 产品实物图片
CSD87588N 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CSD87588N

商品编码: BM0000280040
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
5-XFLGA
包装 : 
编带
重量 : 
0.6g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 6W 30V 25A 2个N沟道 PTAB-5(2.5x3)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.57
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.57
--
100+
¥4.64
--
1250+
¥4.23
--
2500+
¥3.91
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

CSD87588N参数

FET 类型2 个 N 通道(半桥)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.6 毫欧 @ 15A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)4.1nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)736pF @ 15V
功率 - 最大值6W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳5-XFLGA
供应商器件封装5-PTAB(3x2.5)

CSD87588N手册

empty-page
无数据

CSD87588N概述

CSD87588N 产品概述

产品名称: CSD87588N
品牌: 德州仪器 (Texas Instruments)
封装类型: 5-XFLGA (5-PTAB)
应用领域: 开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、消费类电子产品、汽车电子等

1. 引言

CSD87588N 是一款高效的 N 通道 MOSFET,特别设计用于要求高性能与高功率的电子应用。该器件集成了两个 N 通道 FET,构成了一个半桥结构,能够高效驱动负载,并用于多种开关应用。受益于其低导通电阻、高阈值电压和广泛的工作温度范围,CSD87588N 是一款可靠且灵活的选择。

2. 主要特性

  • FET 类型与结构: CSD87588N 包含两个 N 通道 FET,配置为半桥,适用于多种功率转换及驱动场合。
  • 额定电压和电流: 器件的漏源电压 (Vdss) 最大为 30V,能够在 25°C 时持续承受最大漏极电流 (Id) 高达 25A。这使得其在高电压逻辑应用中表现出色。
  • 导通电阻: 在 15A 电流和 10V 栅极驱动电压下,最大导通电阻为 9.6 毫欧,确保了低能量损耗和高效率。在高频开关操作中,低导通电阻也有助于减少热量的产生。

3. 性能数据

  • 阈值电压: CSD87588N 在 250µA 漏电流情况下,其 Vgs(th) 最大为 1.9V,确保在逻辑电平驱动下可靠开关。
  • 栅极电荷: 在 4.5V 的驱动电压下,栅极电荷 (Qg) 最大值为 4.1nC,这意味着器件具有较快的响应时间和低驱动功率需求,在高频应用中非常有利。
  • 输入电容: 在 15V 的工作条件下,输入电容 (Ciss) 最大为 736pF,为设计人员提供了更高的设计灵活性,优化开关速度和降低开关损耗。
  • 功率与热特性: CSD87588N 的最大功耗为 6W,具有良好的散热性能,适合高功率密度应用。工作温度范围为 -55°C 到 150°C,满足极端环境条件下的可靠性。

4. 封装特性

CSD87588N 采用 5-XFLGA 表面贴装封装,尺寸为 3mm x 2.5mm,适合自动化贴片技术,便于在空间有限的应用中使用。该封装设计支持高效的热管理,保证在高负载条件下的可靠工作。

5. 应用实例

CSD87588N 特别适合用在包括但不限于以下应用中:

  • DC-DC 转换器: 在电源模块中作为开关元件,提供高效率转换,降低待机和负载下的功耗。
  • 电机驱动: 在无刷电机驱动、电动工具等领域,提供理想的电流控制、启停及速度调节。
  • 消费类电子: 在各种消费电子中,如笔记本电脑、平板、智能手机等,提升电池效率,延长设备使用时间。
  • 汽车电子: 用于汽车电源管理系统,为电动辅助系统提供强大的支持。

6. 总结

CSD87588N 是一款专为高性能电源管理与驱动设计而优化的 N 通道 MOSFET。凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优异的热性能以及宽广的应用适应性,它在各类现代电子设计中展现了出色的性能与可靠性。无论是开关电源,还是高效率电机驱动,CSD87588N 都是工程师们值得关注的优秀选择。