注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
CSD13202Q2
品牌 :
TI(德州仪器)
封装 :
6-WSON（2x2）
包装 :
编带
重量 :
0.036g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.7W 12V 22A 1个N沟道 SON-8(2x2)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.11按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.11
--
100+
￥1.7
--
750+
￥1.51
--
1500+
￥1.42
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3000+
￥1.36
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
CSD13202Q2参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 22A |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 9.3mΩ @ 5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.7W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.3 毫欧 @ 5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 997pF @ 6V | 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-WSON（2x2） | 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
CSD13202Q2手册
CSD13202Q2概述
CSD13202Q2 产品概述
1. 产品概述
CSD13202Q2是一款由德州仪器（Texas Instruments）推出的高性能N沟道MOSFET，设计用于各种功率转换和自动化应用。它具备卓越的电气性能，适用于需要高效率和快速开关响应的场合，如DC-DC转换器、电源管理以及电机驱动等。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: CSD13202Q2的漏源电压最高可达12V，适合用于较低电压的电源管理应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，其连续漏极电流可达22A，保证在高负载情况下的稳定性和可靠性。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 为1.1V @ 250µA，这意味着MOSFET能够在较低电压下及时开启，有利于降低功耗。
- 漏源导通电阻（Rds On）: 在5A和4.5V时，导通电阻低至9.3mΩ，极大地减少了在导通状态下的功耗，提高了整体系统效率。
- 最大功率耗散: 在25°C的基础上，最大功率耗散为2.7W，使其能够应对较高的热负载。
- 工作温度范围: CSD13202Q2的工作温度范围从-55°C到150°C，能够满足极端环境下的应用需求。
3. 封装与安装
CSD13202Q2采用6-WSON（2x2）封装类型，这种小型化表面贴装设计使其在空间受限的电路板设计中表现出色。该封装配置裸露焊盘，有助于提高热传导效率和简化焊接过程。
4. 应用领域
CSD13202Q2被广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理: 其低导通电阻和高可信度使之成为各种电源转换器的理想选择。
- 电动机驱动: 可以用于电动机控制类应用中，提升系统效率和响应速度。
- 自动化设备: 适合于各类自动化设备，需要低功耗和高效率的场景。
- 智能手机和便携式设备: 由于其低功耗特性，适用于各种移动设备的电源管理。
5. 技术优势
CSD13202Q2的多个技术优势使其在市场上独具竞争力。其设计特点确保了快速开关速度和低导通损耗，为电源设计人员提供了更多优化空间。此外，该产品具备高温操控能力，能够在严格制约环境中稳定工作。
6. 总结
总的来说，CSD13202Q2是德州仪器推出的一款极具性能和可靠性的N沟道MOSFET，拥有众多优良的参数和广泛的应用场景。其集低电压高电流、中等功耗与优良的热稳定性于一身，确保了在现代电子设计中的实用性和灵活性。对于正寻求高效、可靠的功率开关解决方案的工程师来说，CSD13202Q2无疑是一个理想的选择。