BSS127S-7
BSS127S-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50mA |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 160Ω @ 16mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 610mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 欧姆 @ 16mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.08nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21.8pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 610mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS127S-7手册
BSS127S-7概述
BSS127S-7 产品概述
产品简介
BSS127S-7 是一款高压 N 沟道场效应管（MOSFET），由美台（DIODES）品牌制造。该器件特别设计用于高效的开关和放大应用，具备优良的电气特性和可靠的性能。它的主要参数包括漏源电压（Vdss）为650V，最大连续漏极电流（Id）为50mA，适合采用表面贴装方式的电路板设计。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流（Id）: 50mA（25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 160Ω @ 16mA, 10V
- 最大功率耗散（Pd）: 610mW（在25°C情况下）
电气特性
BSS127S-7 提供了足够的操作范围，在低功耗下仍能保持高性能。例如，它的驱动电压范围为5V至10V，确保了在不同工作条件下的稳定性与可靠性。该器件的导通电阻表现良好，对于保证性能的电源开关和信号调节应用至关重要。根据测试结果，其在16mA时的导通电阻为160Ω，这使得它非常适合低功率电气设备，尤其是在16mA以下的漏极电流下。
工作环境
BSS127S-7 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，表明它能够在极端环境中可靠工作，满足各种工业和消费电子产品的需求。通过优良的热管理设计，用户可以在较高温度下安全使用该器件，而不必担心过热损坏。这为其在电动工具、汽车电气系统以及便携式设备中的应用提供了理想的解决方案。
封装与安装
该MOSFET采用 SOT-23 封装（TO-236-3，SC-59），适合表面贴装。SOT-23 封装小巧灵活，便于在空间有限的电路板上使用，适用于现代微型设备。其封装设计还确保了良好的散热性能，有助于器件在高功率工作时保持稳定。安装过程简单，可以有效降低生产工艺成本。
应用领域
BSS127S-7 非常适合以下几种应用：
- 开关电源：在高驱动需求的电源模块中，包括正弦波逆变器和开关电源（SMPS）。
- 汽车电子：能够应对汽车内部的低电流、高电压开关应用，如车灯和电动窗控制等。
- 消费电子：合适用于液晶显示器、便携式电子产品等，有助于提升电池效率。
- 信号放大器：在小信号处理和传感器应用中，用于增强信号。
总结
总的来说，BSS127S-7 是一款兼具高性能和广泛适用性的 N 沟道 MOSFET，具备优良的电气特性、良好的散热能力以及宽广的工作温度范围，适用于多种工业和消费类应用。其高压、低功耗的特性，使其在现代电子设计中成为一个可靠且高效的选择。