BSR33TA
BSR33TA参数
| 额定功率 | 1W | 集电极电流Ic | 1A |
| 晶体管类型 | PNP | 集射极击穿电压Vce | 80V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V | 功率 - 最大值 | 1W |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
BSR33TA手册
BSR33TA概述
BSR33TA 产品概述
产品简介
BSR33TA 是一款由 DIODES（美台）生产的 PNP 型晶体管，广泛应用于高效能电子电路设计中。其设计参数使其非常适合用于低功耗及中功率应用，具备出色的电气性能和热稳定性。该组件采用 SOT-89-3 表面贴装封装，符合现代电子设备对空间和性能的双重需求。
主要参数
额定功率：BSR33TA 能够承受的最大功率为 1 瓦特，适合用于低功耗元件和电路设计。
集电极电流 (Ic)：该晶体管的集电极电流最大可达 1 安培，提供足够的驱动能力以满足多种应用要求。
集射极击穿电压 (Vce)：BSR33TA 的集射极击穿电压为 80 伏特，适合于中高电压电路工作，确保在较高负载条件下的稳定性和可靠性。
饱和压降 (Vce(sat))：在 50mA 和 500mA 的条件下，其最大饱和压降为 500 毫伏，低饱和压降特性有助于提高整体功率转换效率。
截止电流 (ICBO)：在 ICBO 条件下，其最大截止电流为 100 纳安，表明此晶体管在不导电状态下的漏电流极低，适合于高精准度的电路应用。
直流电流增益 (hFE)：在 100mA 和 5V 的标准条件下，BSR33TA 的最小 hFE 值为 100，确保良好的放大特性，使其在信号处理应用中更加有效。
频率响应：BSR33TA 的频率跃迁达到 100MHz，适合高频应用，如 RF 电路和快速开关应用，显示出其优异的频率特性。
工作温度范围：组件的工作温度范围从 -65°C 到 150°C，确保在极端环境条件下也能正常工作，增加了其在工业和军事应用中的适应性。
封装类型：SOT-89-3 封装设计使得 BSR33TA 具备紧凑的外形，适合高密度电路板，并易于自动化贴装。
应用领域
BSR33TA 的设计使其适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 开关电源：由于其优良的饱和压降和高电流处理能力，适合用作开关电源中的开关元件。
- 放大器电路：得益于其高增益特性，BSR33TA 可作为音频放大器、信号处理及其他放大应用中的核心元件。
- 功率控制：可应用于各种功率控制电路，例如电机驱动、LED 驱动等。
- 自动化设备：在自动化及控制系统中，BSR33TA 可用作信号开关和控制元件。
总结
BSR33TA 是一款高性能的 PNP 晶体管，具备 1W 的额定功率和 80V 的集射极击穿电压，适用于多种中低功率、高频应用领域。凭借其优异的电气特性、低饱和压降和广泛的工作温度范围，这款晶体管成为现代电子电路设计中不可或缺的重要元件。无论是在消费电子、工业自动化还是通信设备中，BSR33TA 都能够提供高效、稳定的性能，满足用户的需求。