BSC093N15NS5ATMA1
BSC093N15NS5ATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 87A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.3 毫欧 @ 44A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.6V @ 107µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3230pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 139W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-7 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC093N15NS5ATMA1手册
BSC093N15NS5ATMA1概述
BSC093N15NS5ATMA1 产品概述
一、基本信息
BSC093N15NS5ATMA1是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能N通道MOSFET，采用先进的OptiMOS™ 5技术，专为低电压驱动应用设计。这款MOSFET的主要特点是150V的漏源电压（Vdss），最高连续漏极电流（Id）可达到87A，适合电动叉车、电动滑板车、通信设备以及太阳能应用等广泛场景。
二、关键参数
- FET类型：N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：150V
- 连续漏极电流（Id，25°C）：87A（在结温Tc下）
- 驱动电压：支持8V到10V的导通电阻（Rds On）最大和最小驱动电压
- 最大导通电阻：在44A和10V的条件下，最大Rds On为9.3毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4.6V（在107µA下）
- 栅极电荷（Qg）：最大值为40.7nC（在10V下）
- 栅极-源极电压（Vgs）：最大值为±20V
- 输入电容（Ciss）：在75V时最大输入电容为3230pF
- 功率耗散：最大功率耗散能力为139W（在Tc下）
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ）
- 封装类型：表面贴装型，PG-TDSON-8-7封装
- 器件封装：8-PowerTDFN
三、应用领域
BSC093N15NS5ATMA1的设计使其非常适合于各种低电压驱动应用，包括：
电动叉车：在电动叉车中，MOSFET的高电流承载能力和低导通电阻提供了高效的电力转换，提升了叉车的运行效率。
电动滑板车：随着电动滑板车市场的蓬勃发展，要求颗粒在高频率、高功率下稳定工作，BSC093N15NS5ATMA1凭借其优异的参数配置能够满足这一需求。
通信设备：在通信领域，尤其是基站设备中，功率MOSFET需要在高温和高电压下稳定运行，BSC093N15NS5ATMA1的广泛工作温度范围使其成为理想选择。
太阳能逆变器：在太阳能光伏领域，MOSFET被广泛应用于逆变器中，此器件提供高有效的能量转换，提升系统效率。
四、技术优势
低导通电阻：BSC093N15NS5ATMA1具有较低的导通电阻，能够减少在运行时的热损耗，这对于节能和延长产品寿命至关重要。
高功率密度：其最大功率耗散能力达到了139W，可以支持高负载应用，提升了系统的可靠性。
广泛的工作温度范围：该MOSFET能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，能够适应极端环境条件。
快速开关速度：26239的栅极电荷特性使得其在高频率应用中能够快速开关，提高了系统的响应时间和效率。
五、结论
BSC093N15NS5ATMA1产品是一个极具竞争力的电源管理解决方案，适用于多种行业的应用需求。凭借其出色的电气性能、广泛的适用性和可靠性，成为电动交通工具、通信设施和可再生能源系统等领域的理想选择。英飞凌的OptiMOS™ 5技术确保了该MOSFET在市场中具备领先地位，适合对高性能电子元器件有需求的开发者和工程师使用。