晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 130MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP56-16T1G是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能NPN型三极管,广泛应用于各种电子电路中。该产品以其优越的电性能和可靠的工作表现,被广泛用于功率放大器、开关电路和其他线性应用。其表面贴装技术(SMT)封装形式和紧凑尺寸,使其在现代电子产品日益小型化的市场中尤为受到青睐。
高电流能力和高电压耐受性:BCP56-16T1G的最大集电极电流为1A,能够处理较高的负载电流,适合于各类高功率应用。同时,其80V的击穿电压为电路提供了良好的安全边际。
低饱和压降:在饱和状态下更低的Vce(sat)值(500mV @ 50mA, 500mA)使其在功率转换中能够更有效地降低热损耗,从而提高电路效率。
高增益性能:在150mA的工作状态下,最低增益(hFE)为100,显示该器件在给定的输入电流下能够有效放大信号,使其在放大器应用中占据优势。
广阔的工作温度范围:BCP56-16T1G的工作温度范围极广,从-65°C到150°C,能够在恶劣环境下长期稳定工作,适合航天、军事及工业领域的各种苛刻应用。
高频率响应:其130MHz的跃迁频率使其适用于高频应用,这意味着这款三极管可以在RF和高速开关电路中有效工作。
BCP56-16T1G广泛应用于以下领域:
BCP56-16T1G是一款多用途、高性能的NPN型三极管,具有优异的电气特性和广泛的应用潜力。其设计符合现代电子产品对器件小型化、高效能及高可靠性的需求,是工程师和开发人员在设计过程中值得信赖的组件选择。不论是在工业、电力、消费电子或是通信领域,BCP56-16T1G都能为各种应用提供优质的解决方案。