额定功率 | 1W | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 145MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP52-16,115 产品概述
产品简介
BCP52-16,115 是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),由知名半导体制造商安世(Nexperia)生产。该器件适用于多种电子应用,凭借其卓越的电气特性和优良的散热性能,成为设计师在电流放大和开关控制电路中常用的选择。BCP52-16,115 具备 60V 的集射极击穿电压、1A 的集电极电流能力以及 1W 的额定功率,广泛应用于电源管理、信号放大和开关电路等领域。
电气特性
额定功率与电流:
电压承受能力:
工作指标:
增益特性:
漏电流:
频率响应与工作环境
BCP52-16,115 的跃迁频率为 145MHz,使其在高频信号处理中的应用非常理想。该频率性能使得它适合用于高频开关电路和射频应用,也适应快速变化信号的需求。此外,该晶体管的工作温度范围较大,能够承受高达 150°C 的结温,使其在高温环境下依然能够稳定工作,适合工业应用等苛刻环境。
封装与安装
此款晶体管采用 SOT-223 封装形式,便于表面贴装(SMD)安装,适合高密度电路板设计。SOT-223 具有良好的散热性能,确保在高功耗应用中能够维持低工作温度,大幅提升了器件的可靠性与稳定性。
应用领域
BCP52-16,115 的设计使其广泛应用于以下领域:
总结
BCP52-16,115 是一款性能优越的PNP晶体管,结合了高电压承受能力、强大的电流处理能力、低饱和压降和良好的增益特性,成为电子设计师理想的电流放大和开关控制组件。其优异的频率响应和高温工作能力,使得该晶体管能够应对各种苛刻环境中的设计需求,适用于电源管理、信号放大和开关电路等应用。因此,BCP52-16,115 在现代电子设备中具备极高的市场潜力与实用价值。