BC847BVN,115
BC847BVN,115参数
| 晶体管类型 | NPN,PNP | 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 45V | 额定功率 | 300mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
BC847BVN,115手册
BC847BVN,115概述
产品概述：BC847BVN,115
一、产品简介
BC847BVN,115 是一款由知名半导体制造商 Nexperia（安世）推出的高性能双极结晶体管（BJT），其设计旨在满足多种电子应用需求。该产品在 SOT-666 表面贴装封装中提供出色的电气性能，适用于信号放大、开关控制及其他频率要求较高的电路。
二、关键参数
晶体管类型：BC847BVN,115 包括 NPN 和 PNP 两种晶体管类型，提供了灵活的设计选项。NPN 和 PNP 结构能够更好地适应不同的电路拓扑和工作要求，方便设计人员进行选择。
集电极电流（Ic）：该三极管的最大集电极电流为 100mA，能够满足大部分中低功率应用的电流需求。这使其适合用于移动设备、消费电子以及其他便携式设备中。
集射极击穿电压（Vce）：BC847BVN,115 的集射极击穿电压最高可达到 45V，意味着在大多数应用中其工作稳定性良好，可以有效防止因电压突变导致的损坏。
功率额定值：其最大功率额定值为 300mW，使得这款晶体管可以在较高的功率条件下正常工作。适合设计师在功率要求较高的应用中使用。
饱和压降：在 Ic 为 5mA 和 100mA 时，Vce 饱和压降的最大值为 300mV，表示在开启状态下，器件的电流损耗较低，加大了电路的整体效率。
截止电流：该产品的集电极截止电流（ICBO）最大值为 15nA，在电路不工作时，这一特性可以有效减少静态功耗，进而提高整体电源效率。
增益特性：BC847BVN,115 的直流电流增益 (hFE) 的最小值为 200（在 2mA 和 5V 条件下测得），这一高增益特性使其在信号放大应用时表现优异。
工作频率：这款晶体管的频率跃迁高达 100MHz，能够支持高速信号处理，适合于 RF 和高频应用。
工作温度范围：其工作温度为 150°C（TJ），使得它在极端环境条件下也能保持良好的性能和可靠性，适用于汽车电子和工业控制领域。
三、应用领域
BC847BVN,115 广泛应用于如下领域：
- 消费电子：例如手机、音频设备以及其他小型消费产品的信号放大和开关电路。
- 汽车电子：用于汽车上的传感器信号处理中，确保在高温环境下的稳定性。
- 工业控制：在设备的控制信号中起到开关和放大的作用。
- 通信设备：因其出色的频率响应，适用于各种通信相关的信号处理环节。
四、封装与安装
BC847BVN,115 使用 SOT-666 表面贴装封装，体积小巧（6 引脚），便于自动化组装和节省电路板空间，符合现代电子设备对小型化和高效能的需求。
五、总结
BC847BVN,115 是一款经过优化性能的双极结晶体管，凭借其优越的集电极电流、击穿电压和频率响应，成为众多电子设计项目的理想选择。它的高增益特性和小巧的封装设计使其在多种应用场合中表现出色，适合用于要求高可靠性与高效率的多种电路设计，突显了 Nexperia 在半导体领域的技术实力与创新能力。