BC817-16LT1G 产品实物图片
BC817-16LT1G 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC817-16LT1G

商品编码: BM0000279919
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 45V 500mA NPN SOT-23
库存 :
72812(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.547
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.547
--
200+
¥0.182
--
1500+
¥0.114
--
3000+
¥0.0904
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC817-16LT1G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 100mA,1V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BC817-16LT1G手册

empty-page
无数据

BC817-16LT1G概述

BC817-16LT1G 产品概述

BC817-16LT1G 是一种高性能的小型 NPN 型晶体管,属于 ON Semiconductor(安森美)公司制造的产品。该器件广泛应用于电子电路中的开关和放大用途,因其具有优良的电气特性和稳定的工作性能而受到设计师和工程师的青睐。

1. 基础参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 (Ic):最大值为 500mA,适合中等功率的应用。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为 45V,能够满足多种高压应用场景的需求。
  • Vce 饱和压降:在 Ic 为 50mA 和 500mA 时,Vce 的饱和压降最大为 700mV,意味着在开关状态下,器件的功耗较低,有助于提高整体系统的效率。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为 100nA,表明该晶体管的漏电流非常低,适合低功耗设计。
  • 直流电流增益 (hFE):在集电极电流为 100mA 和 Vce 为 1V 时,hFE 的最小值为 100,保证了在放大应用中的有效增益特性。
  • 最大功率:可承受最大功率为 300mW,使得其在多数信号处理和开关应用中的表现都相当可靠。
  • 频率响应:频率跃迁达到 100MHz,支持高频应用,适合 RF(射频)和高速数字电路。
  • 工作温度:工作温度范围从 -65°C 至 150°C,适合在各种极端环境下使用,确保其稳定性能。

2. 封装与安装

BC817-16LT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)封装,是一种小型的表面贴装型器件。这使得其在现代电子产品中非常适合用于节省空间的设计,尤其适合手机、平板电脑、医疗设备和各种便携式电子产品。

  • 封装类型:SOT-23-3
  • 封装尺寸:具有较小的物理尺寸,方便自动化贴装和组装。

3. 应用领域

BC817-16LT1G 的多种电气特性使得其在多种应用中表现出色,主要应用领域包括:

  • 信号放大器:在音频设备中,由于其低噪声特性和高增益,可以作为信号放大器使用,提升信号质量。
  • 开关电路:由于其较低的饱和压降,适合用于稳压电源和开关电源,能够有效地控制负载。
  • 电路保护:可用作过流保护电路中的信号检测。
  • 射频应用:基于其高频性能,适合用于 RF 放大器和调制解调器等设备中。

4. 结论

BC817-16LT1G 是一款在电力管理、信号处理和开关应用中都有出色表现的 NPN 晶体管,其高频特性和较广的工作温度范围使其在多种工业和消费电子产品中得到了广泛的应用。配合其小巧的封装形式,BC817-16LT1G 是现代电子设计中一个不可或缺的选择。

综上所述,对 BC817-16LT1G 的深入了解不仅有助于电路设计师选用合适的元器件,也为开发出高效、可靠的电子产品提供了重要的技术基础。无论是简单的开关应用还是复杂的信号处理,该晶体管都表现出色,是集成电路设计中的理想选择。