额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 80MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BC807,215是一款由安世半导体(Nexperia)生产的PNP型双极晶体管(BJT),以其卓越的性能和广泛的应用潜力而闻名。该器件专为低功率开关和放大应用而设计,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域。
BC807,215采用SOT-23封装,这是一个紧凑的表面贴装型(SMD)封装,非常适合空间受限的电路设计。SOT-23封装能够有效地提升电子产品的集成度和可靠性,满足现代电子产品“小型化”的趋势。这种封装的设计允许快速散热,使得器件在高负载下依然能保持稳定的性能。
作为一款PNP型晶体管,BC807,215在开关应用中表现优异。它能在低电流和低压的条件下进行高效的开关操作,其在饱和时的压降较低,能够有效减少功耗。同时,其高增益的特性使得它在需要放大的信号处理中也具有良好的表现。该晶体管支持高达80MHz的跃迁频率,适用于高频应用,如RF信号放大器和调制解调器。
BC807,215广泛应用于多种场景,包括:
BC807,215在多个方面具有显著优势:
BC807,215是一款性能卓越、应用广泛的PNP型晶体管,凭借其合理的参数及优良的工作特性,成为各种电子设备中不可或缺的元器件。无论是在信号放大还是在开关控制部分,它都能满足现代电子产品对效率、可靠性及小型化的严苛要求。这些特性使得BC807,215在市场中占据了重要的位置,是电子工程师在设计时值得信赖的选择。