BAT54J,115
BAT54J,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 30V | 平均整流电流（Io） | 200mA |
| 正向压降（Vf） | 800mV @ 100mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 100mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 25V | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 供应商器件封装 | SOD-323F | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
BAT54J,115手册
BAT54J,115概述
产品概述：BAT54J,115 肖特基二极管
基本信息
BAT54J,115是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能肖特基二极管，采用SOD-323F封装类型。该器件特别设计用于小信号应用，并提供出色的整流性能，主要用于低电压、高效率的电源管理和信号整流电路。
核心参数
- 直流反向耐压（Vr）: 30V
- 平均整流电流（Io）: 200mA
- 正向压降（Vf）: 800mV @ 100mA
- 反向漏电流: 2µA @ 25V
- 工作温度 - 结: 最大 150°C
- 电容: 10pF @ 1V, 1MHz
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装: SOD-323F
产品特点
高整流效率: BAT54J,115 在典型应用中，能够以较低的正向压降（800mV @ 100mA）实现高整流效率。这使得其在处理信号和电力时，能够减少功率损耗，提升整体能效。
优异的额定参数: 本产品的直流反向耐压可达到30V，适合广泛的应用场景，尤其是在高压工作环境下。同时，其200mA的平均整流电流确保可以满足大多数小型电子设备的需要。
小信号应用: 该器件非常适合于小信号的整流使用，便于在低电压环境下进行快速信号处理。在反向泄漏电流方面，BAT54J,115在25V下只有微弱的2µA，意味着它在静态下几乎不会消耗电能，有助于提升设备的续航能力。
高温适应性: 工作温度范围高达150°C，使得BAT54J,115可以在苛刻的工作条件下正常运行。这对于电子设备的稳定性和可靠性至关重要，特别是在高温环境中工作时。
小型封装设计: SOD-323F封装类型使得BAT54J,115适合于紧凑的电路设计，能够在空间受限的应用中有效利用布局。这种表面贴装型设计也有助于提升生产效率。
应用场景
BAT54J,115广泛应用于各种电子设备，包括：
- 电源管理: 在DC-DC转换器中用作整流二极管，以增强效率。
- 信号整流: 在收发器、放大器等小信号电路中用作整流二极管，以减少信号失真。
- 负载开关: 适用于开关电源中的负载管理，实现快速切换和高效能量传输。
- 移动设备: 由于其低压降和小尺寸特点，非常适用于智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理。
总结
BAT54J,115是应用于小信号和电源管理领域的优质肖特基二极管，其低正向压降、低反向漏电流和高耐压能力使其成为众多电子设计中的理想选择。结合其耐高温特性和合理的封装设计，BAT54J,115在现代电子器件中展现出卓越的性能和广泛的应用潜力。对于需高效整流、低功耗和可靠性的电子产品设计师来说，BAT54J,115无疑是一个值得考虑的解决方案。