BAS70H,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BAS70H,115

商品编码: BM0000279898
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-123F
包装 : 
编带
重量 : 
0.039g
描述 : 
肖特基二极管 410mV@1mA 70V 10uA@70V 70mA SOD-123F
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.237
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.237
--
200+
¥0.154
--
1500+
¥0.133
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS70H,115参数

直流反向耐压(Vr)70V平均整流电流(Io)70mA
正向压降(Vf)410mV @ 1mA二极管类型肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)70V电流 - 平均整流 (Io)70mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1V @ 15mA速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10µA @ 70V不同 Vr、F 时电容2pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SOD-123F
供应商器件封装SOD-123F工作温度 - 结150°C(最大)

BAS70H,115手册

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BAS70H,115概述

产品概述:BAS70H,115 - 肖特基二极管

1. 产品简介 BAS70H,115是一款由安世半导体(Nexperia)生产的高性能肖特基二极管,采用SOD-123F封装,适用于多种小信号整流应用。这款二极管具备高效的整流性能和低反向漏电流,非常适合用于电源管理、开关电源、直流-直流转换器及各种负载保护电路。

2. 技术参数

  • 直流反向耐压(Vr): BAS70H,115的最大反向耐压为70V,确保在高压情况下依然稳定工作,适合于较高电压需求的电路。
  • 平均整流电流(Io): 此型号的平均整流电流为70mA,能满足一般电子设备中对电流的需求,同时保持其性能稳定。
  • 正向压降(Vf): 在1mA的测试条件下,BAS70H的正向压降为410mV,而在15mA的电流下,正向压降为1V。这一特性使得设备运行时的热量损耗较小,提高了整体能效。
  • 反向漏电流(Ir): 最大反向泄漏电流在70V时仅为10µA,保障了电路的低功耗性能,尤其在待机模式下表现优越。
  • 工作温度范围: 此肖特基二极管的结温最大为150°C,适合在较高温度条件下稳定工作,增加了其应用的灵活性。

3. 特性概述

  • 小信号性能: BAS70H,115在小信号应用中表现优异,其整流能力高达200mA,支持任意速度的应用场合,具备良好的动态响应特性。
  • 电容特性: 在0V和1MHz的频率下,其电容为2pF,这一低电容特性使其非常适合高频应用,减少信号延迟并提高响应速度。

4. 封装和安装类型 BAS70H,115采用表面贴装型(SMD)SOD-123F封装,体积小巧,能够在有限的PCB空间中方便地布局,适合大规模生产和自动化贴片。此封装形式提高了二极管的散热性能,并且在实际应用中能有效减少寄生电感和电容的影响,从而增强其整体信号完整性。

5. 应用场景

  • 电源管理: BAS70H,115非常适合用于电源适配器和开关电源的整流阶段,提供高效的电流整流和电源可能过载的保护。
  • 信号整流: 由于其小信号整流特性,此二极管可广泛应用于通信设备和消费电子中的信号处理电路。
  • 负载保护: 在各种负载和电源保护电路中,BAS70H,115的反向漏电流特性和热稳定性可确保设备在异常工作条件下的安全运行。

6. 结论 BAS70H,115是一款高效能、小型化的肖特基二极管,凭借其低正向压降、低反向泄漏能力和适应高温的工作特性,非常适合在现代电子产品中广泛应用。无论是在电源管理、信号整流还是负载保护领域,BAS70H,115都能提供卓越的性能和可靠性,是设计师和工程师在选择二极管时的优先选择。安世半导体凭借其丰富的行业经验和高标准的制造工艺,确保了该产品的高质量和高可靠性。