AOD4185L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD4185L

商品编码: BM0000279827
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.483g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 40A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
18+
数量 :
X
1.79
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.79
--
100+
¥1.38
--
1250+
¥1.2
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD4185L参数

漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)(25°C 时)40A
栅源极阈值电压3V @ 250uA漏源导通电阻15mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W类型P沟道

AOD4185L手册

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AOD4185L概述

产品概述:AOD4185L P沟道场效应管 (MOSFET)

基本信息
AOD4185L是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),具有一个相对较高的漏源电压(Vdss)和连续漏极电流(Id),适用于多种应用场景。它的规格适合用于电源管理、负载开关和其他需要高功率处理的电路设计。产品的封装类型为TO-252(DPAK),这使得它在散热性能和安装便捷性方面都有很好的表现。

电气特性

  • 漏源电压(Vdss): 该MOSFET能够承受最高40V的漏源电压,这意味着它适合于多种中低电压应用,为高压环境提供了足够的安全余地。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C的环境温度下,AOD4185L的最大连续漏极电流可达到40A。这使得它在处理较大的负载时,依然保持稳定的输出,无需担心因过流导致的损坏。
  • 栅源极阈值电压: AOD4185L的栅源极阈值电压为3V @ 250uA,表明其在较低的栅电压下也能有效地开启,并能够提高系统的整体效率。
  • 漏源导通电阻: 使用该器件时,漏源导通电阻为15mΩ @ 20A, 10V。这意味着在工作时的功耗极低,从而提高了系统的整体能效,减小了散热需求。
  • 最大功率耗散(Ta=25°C): 在环境温度为25°C的情况下,AOD4185L的最大功率耗散为2.5W,这一特性对于高负载电路设计至关重要。

封装与散热
AOD4185L采用TO-252封装,提供了良好的热管理性能和稳定的机械强度。DPAK 是一种常见的表面贴装封装类型,由于其良好的散热设计,能够有效地转移在工作中产生的热量,确保器件在高电流和高功率条件下运行时的可靠性。此外,DPAK封装有助于简化PCB的布局和设计,方便集成到各种电子设备中。

应用场景
AOD4185L极其适合于多种应用:

  1. 电源管理:用于电源开关、稳压电源、DC-DC转换器等电源管理模块,满足高效能的要求。
  2. 负载开关:在各种电子设备中,用作高电流负载的开关,确保以最小的损耗驱动负载。
  3. 马达控制:用于直流电机和无刷电机的驱动,能够处理较大的电流和功率。
  4. LED驱动:适于LED照明系统的驱动控制,可提高效率和系统的稳定性。
  5. 便携式设备:因其适中的功率和电压特性,也可以应用于便携式消费电子设备中,确保设备长期稳定运行。

总结
AOD4185L P沟道场效应管具有出色的电气特性与适用范围,适配于众多现代电子设备。其设计兼顾了高效能与稳定性,为工程师在开发和设计中提供了可靠的选择。该器件在电源管理、负载开关及马达控制等领域中表现出色,是一个理想的电子元器件,满足了现代电子产品对高效率和高可靠性的逐步提升的需求。无论是在家庭电器、工业控制还是便携式电子设备中,AOD4185L都能实现预期的性能目标,成为业内一种值得信赖的选择。