AO8810 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO8810

商品编码: BM0000279824
品牌 : 
AOS
封装 : 
TSSOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.153g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 7A 2个N沟道 TSSOP-8
库存 :
1086(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.07
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.07
--
200+
¥0.82
--
1500+
¥0.713
--
3000+
¥0.62
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO8810参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压1.1V @ 250uA漏源导通电阻20mΩ @ 7A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W类型双N沟道(共漏)

AO8810手册

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AO8810概述

AO8810 产品概述

产品简介

AO8810是一款双N沟道MOSFET(场效应管),设计用于负载开关、功率管理以及其他各种高效电流控制应用。其以出色的电气性能和高度集成的TSSOP-8封装使其成为多种电子设备的理想选择,尤其是在空间受限的电路板设计中。此产品由知名厂家AOS生产,旨在满足现代电子设备对高效能和低功耗的苛刻要求。

基本参数

AO8810的主要电气参数如下:

  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 7A(在25°C时)
  • 栅源极阈值电压: 1.1V @ 250μA
  • 漏源导通电阻: 20mΩ @ 7A, 4.5V
  • 最大功率耗散: 1.5W(在环境温度25°C下)
  • 类型: 双N沟道(共漏)
  • 封装: TSSOP-8

关键特性

  1. 高电流处理能力: AO8810能够以高达7A的连续漏极电流工作,使其在高功率应用下也能保持稳定的性能。这使其适用于各种需要快速开关和高电流的设备。

  2. 低导通电阻: 20mΩ的导通电阻不仅提升了输入端的电流效率,减少了能量损耗,还降低了组件的发热量。这为延长设备的使用寿命及提升整体效率提供了保障。

  3. 适应宽温范围: AO8810的设计允许其在多种环境条件下工作,能够掌握在工业和消费类电子产品中对温度的需求。

  4. 优越的开关性能: AO8810的栅源极阈值电压为1.1V,也就是说在较低的控制电压下即可实现快速开关,适应高速开关应用并减少控制电路复杂性。

  5. 紧凑的封装: TSSOP-8封装使得AO8810在空间受限的应用领域中表现优异,能够有效节约电路板的空间,为设计师提供更多的灵活性。

应用场景

AO8810被广泛应用于多种场景,尤其适合以下几种:

  • 电源管理: AO8810能够用于开关电源、电池管理系统中,以实现高效的功率转化和能量控制。
  • 电机控制: 作为电机驱动中的关键元器件,AO8810的高电流能力和低热特性让其成为各种电机控制应用的理想选择。
  • 负载开关: 在数据转换器、电源开关以及负载控制中,AO8810的双N沟道设计可提供灵活而高效的控制手段。
  • 移动设备和便携式电子产品: 由于其低功耗和小型化的特性,AO8810尤其适合于智能手机、便携式音响、平板电脑等移动设备。

总结

AO8810以其卓越的电气性能和紧凑的封装设计,展现出极强的市场竞争力。尤其是在需要高效率和高电流处理能力的应用中,它能够有效地提升整体系统的性能并降低能量损耗。作为AOS品牌的一部分,AO8810的可靠性和性能得到广泛认可,是现代电子设计中不可或缺的重要组件之一。