漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 7A |
栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 20mΩ @ 7A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.5W | 类型 | 双N沟道(共漏) |
产品简介
AO8810是一款双N沟道MOSFET(场效应管),设计用于负载开关、功率管理以及其他各种高效电流控制应用。其以出色的电气性能和高度集成的TSSOP-8封装使其成为多种电子设备的理想选择,尤其是在空间受限的电路板设计中。此产品由知名厂家AOS生产,旨在满足现代电子设备对高效能和低功耗的苛刻要求。
基本参数
AO8810的主要电气参数如下:
关键特性
高电流处理能力: AO8810能够以高达7A的连续漏极电流工作,使其在高功率应用下也能保持稳定的性能。这使其适用于各种需要快速开关和高电流的设备。
低导通电阻: 20mΩ的导通电阻不仅提升了输入端的电流效率,减少了能量损耗,还降低了组件的发热量。这为延长设备的使用寿命及提升整体效率提供了保障。
适应宽温范围: AO8810的设计允许其在多种环境条件下工作,能够掌握在工业和消费类电子产品中对温度的需求。
优越的开关性能: AO8810的栅源极阈值电压为1.1V,也就是说在较低的控制电压下即可实现快速开关,适应高速开关应用并减少控制电路复杂性。
紧凑的封装: TSSOP-8封装使得AO8810在空间受限的应用领域中表现优异,能够有效节约电路板的空间,为设计师提供更多的灵活性。
应用场景
AO8810被广泛应用于多种场景,尤其适合以下几种:
总结
AO8810以其卓越的电气性能和紧凑的封装设计,展现出极强的市场竞争力。尤其是在需要高效率和高电流处理能力的应用中,它能够有效地提升整体系统的性能并降低能量损耗。作为AOS品牌的一部分,AO8810的可靠性和性能得到广泛认可,是现代电子设计中不可或缺的重要组件之一。