功率(Pd) | 2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 115pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@10V,8A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 2个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 888pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
AO4818是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor)生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),该器件专为各种高频开关、电源管理以及电机驱动等应用而设计。AO4818的技术规格如下:
通过这些特点,可以看出AO4818是一款非常适合于低电压、高电流应用的MOSFET,尤其是在要求小尺寸与高效能相结合的场合。
AO4818采用SOP-8(Small Outline Package)封装,这种封装形式不仅提供了良好的热管理能力,还有效缩小了电路板的占地面积。SOP-8封装的占用面积相对较小,非常适合用于空间有限的电子产品中。此外,AO4818的设计考虑了电气性能的优化,确保其在高频切换操作中的效率与稳定性。
AO4818具有多项优异的电气特性。其最低的栅源电压(VGS)阈值使得它能够在较低的控制电压下开启,适合用于5V和10V的逻辑电平驱动应用。MOSFET的低导通电阻(RDS(on))确保了在负载工作时耗能最小,帮助提高整机的能效。
具体来说:
AO4818由于其出色的电气性能,与灵活的应用场合相匹配,广泛适用于以下领域:
与市场上同类N沟道MOSFET相比,AO4818凭借其优异的导通电阻及快速开关特性,能够为设计工程师提供更高的设计灵活性和更好的系统效率。此外,AOS的强大研发和质量保证使得AO4818在长期应用中的可靠性得到了保证,降低了故障率。
综上所述,AO4818是一款具有出色性能与广泛应用前景的MOSFET解决方案,适合当前多样化的电子产品需求。无论是在消费电子、工业控制还是绿色能源系统中,AO4818都可以成为设计者的理想选择。通过选择AO4818,设计者不仅能够节省空间和成本,还可以大幅提升产品的性能与可运行性。