漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.6A |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 3.6A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.4W | 类型 | N沟道 |
AO3406 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中,尤其是在功率管理、开关电源和电机驱动等领域。其主要特点包括额定漏源电压(Vdss)为 30V,最大连续漏极电流(Id)为 3.6A(在 25°C 时),以及较低的漏源导通电阻(Rds(on)),仅为 50mΩ。这些特性使 AO3406 在低功耗、高效能系统中表现出色。
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 3.6A @ 25°C
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250μA
漏源导通电阻(Rds(on)): 50mΩ @ 3.6A, 10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.4W
封装: SOT-23-3
AO3406 因其优良的电气特性和小型化封装,被广泛应用于许多电子设备中,如:
开关电源: 在 DC-DC 转换器、适配器及各类电源管理模块中,AO3406 可被用作开关组件,帮助提高系统效率,降低能耗。
LED 驱动: 在 LED 照明和背光源中,本器件能够通过开关控制实现高效的电流调节,满足不同亮度需求。
电机驱动: AO3406 也适用于电机控制和驱动电路,支持高频切换,确保电机平稳运行。
信号开关: 在低功耗的信号开关应用中,AO3406 由于其快速的开关特性和较低的导通电阻,可用以实现高效的信号转换。
AO3406 是一款性能优秀、用途广泛的 N 沟道 MOSFET 设备,具备稳定的电气特性、低功耗和高效率,适合多种现代电子应用。其 SOT-23-3 封装也方便在空间受限的环境中使用,成为设计工程师在选型时的一款理想选择。随着电子产品对功率效率和体积的日益重视,AO3406 也将在未来的应用中继续发挥其重要作用。