额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 32V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 800mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 500mA,3V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | MPT3 |
2SB1188T100R是一种高性能PNP型三极管,具有2W的额定功率和最大集电极电流(Ic)为2A。该器件专为各种电子应用而设计,尤其适用于需要高开关速度和优良线性特性的电子电路。其高达32V的集射极击穿电压(Vce)使其能够满足大多数中等功率电路的需求。
2SB1188T100R可以广泛应用于多种电子设备和电路,包括但不限于:
2SB1188T100R的工作温度范围可达到150°C,确保在高温环境下也能稳定运行。这一特性使其在汽车电子、工业控制器和电信设备中具备广泛的应用前景。
综上所述,2SB1188T100R是一个具备多种优异特性的PNP型三极管,能够满足高电流、低饱和压降和良好增益的要求,适用于众多电子及电气类应用。其高效的性能和稳健的设计使其成为现代电子产品中不可或缺的基础元件之一。作为ROHM公司推出的产品,2SB1188T100R 始终以其稳定性和可靠性赢得了众多设计工程师的青睐,适合用于各种高性能电路设计。