封装/外壳 | SC-90,SOD-323F | 反向耐压VR(最大值) | 75V |
平均整流电流IF | 250mA | 正向压降VF | 1.25V@150mA |
反向漏电流IR | 2.5µA@75V | 反向恢复时间(trr) | 4ns |
速度 | 快速恢复=<500ns,>200mA(Io) | 二极管类型 | 标准 |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 75V | 电流 - 平均整流 (Io) | 250mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2.5µA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 4pF @ 0V,1MHz |
供应商器件封装 | SOD-323F | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
1N4448WSFQ-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能开关二极管,专为快速开关电路和各种应用设计。此款二极管以其卓越的电气性能和可靠性,在市场上广受欢迎,尤其是在需要高频率操作和高温环境下的应用。
1N4448WSFQ-7 采用 SOD-323F 封装,具有小型化和表面贴装(SMT)特性。这种封装方案不仅节省了板级空间,而且提升了生产效率,适合自动化焊接技术。在现代电子产品设计中,使用小封装的元件可以有效地促进电路的集成化,从而实现更高的功能密度和更小的体积。
反向电压 (VR): 该二极管最高可承受 75V 的反向耐压,能够满足多种电路需求,特别是在高电压应用中表现出众。
平均整流电流 (IF): 具有 250mA 的平均整流电流,适合于一些中等负载的电路设计。这一特性使得 1N4448WSFQ-7 成为多种电子设备,尤其是开关电源和线性电源的理想选择。
正向压降 (VF): 在 150mA 电流条件下,正向压降为 1.25V,这样的设计可以降低功耗,提升电路的整体效率。
反向漏电流 (IR): 在 75V 的条件下,反向漏电流仅为 2.5µA。低漏电流不仅能够提升电路的稳定性,还能减少功耗,极大地延长产品的使用寿命。
反向恢复时间 (trr): 反向恢复时间为 4ns,符合快速恢复二极管的标准。这使得该二极管在频率更高的应用中表现出色,适合开关频率高的应用场合。
电容特性: 在 0V,1MHz 下,反向电容为 4pF,这在高频应用中尤为重要,能够有效降低寄生效应。
1N4448WSFQ-7 的工作温度范围在 -65°C 至 150°C 之间,能够适应各种严苛的操作环境,确保其在高温和低温条件下均能够稳定工作。这一特性使其广泛应用于汽车电子、工业自动化以及消费电子等多个领域。
该二极管的湿气敏感性等级(MSL)为 1,表明其在存储和使用过程中耐受潮湿的能力强,用户在使用时不必担心过多的湿度影响器件性能,能够更好的满足企业在高湿度环境中的适用性。
1N4448WSFQ-7 适合多种应用场景,包括但不限于:
凭借其优越的电气性能、稳定的工作温度范围、高效的封装设计,1N4448WSFQ-7 已成为电子工程师在二极管选择中的一种优选。它在各类电子产品中的广泛应用有效地推动了设计的优化,降低了功耗,提高了产品的可靠性。DIODES(美台)凭借该产品的卓越表现,继续巩固了其在全球电子元件市场的领导地位。