反向恢复时间(trr) | 4ns | 直流反向耐压(Vr) | 80V |
平均整流电流(Io) | 125mA | 正向压降(Vf) | 1V @ 100mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 80V |
电流 - 平均整流 (Io) | 125mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 100mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 80V | 不同 Vr、F 时电容 | 3pF @ 0.5V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
1N4448HWT-7是一款高性能的开关二极管,广泛应用于高速开关电路、整流电路和信号处理等领域。凭借其优异的电性能和紧凑的封装设计,1N4448HWT-7成为了现代电子设备中不可或缺的元器件之一。
1N4448HWT-7的设计充分考虑了现代电子电路对速度和效率的需求。其反向恢复时间仅为4纳秒,使得该二极管特别适合工作在高速开关应用中,能够在高频条件下有效地进行信号转换。对于需要频繁切换的电路,如开关电源和PWM(脉宽调制)电路,该二极管可以显著提升整体性能。
1N4448HWT-7的直流反向耐压为80V,能够有效地承受较高的反向电压,适用于需要防止反向电流损坏的应用。它的平均整流电流为125mA,适合在小信号场合下使用。在正向条件下,1N4448HWT-7的正向压降为1V(在100mA下),这一特性,有助于减少功耗,提升电路的能效比。
此外,该二极管在反向电流泄漏方面也表现良好,最大反向泄漏电流为100nA(在80V下)。这一参数对于精密电路设计尤为关键,确保电路在待机状态下的低功耗特性。
1N4448HWT-7广泛应用于各种电子设备中。例如:
由于其高耐压、高整流性能,该二极管也被广泛应用于通讯设备、计算机外围设备、消费电子产品等多个行业。
1N4448HWT-7采用SOD-523封装,这是一种表面贴装型封装,具有小体积、高密度和易于自动化铺设的优点,非常适合于现代高密度电路板的设计需求。这种封装形式不仅确保了良好的热散能力,同时也便于在复杂电路板中进行布线。
综上所述,1N4448HWT-7作为一款高性能的开关二极管,凭借其卓越的电气特性和实用的封装形式,在众多电子产品中占有重要地位。无论是在高速开关电路还是整流系统中,1N4448HWT-7都能够为设计师提供极大的灵活性和可靠性,是现代电子电路设计不可或缺的优质选择。