AOD5B65M1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD5B65M1

商品编码: BM0000279601
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.483g
描述 : 
IGBT管/模块 1.98V@15V,5A 650V 69W 10A TO-252-2(DPAK)
库存 :
1835(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
2.75
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.75
--
100+
¥2.11
--
1250+
¥1.83
--
2500+
¥1.73
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD5B65M1参数

集电极电流(Ic)(最大值)10A集射极击穿电压(最大值)650V
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)1.98V @ 15V,5A栅极阈值电压-VGE(th)5.1V @ 1mA

AOD5B65M1手册

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AOD5B65M1概述

AOD5B65M1 IGBT产品概述

AOD5B65M1是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),由AOS公司制造,专为各种高功率应用设计。该产品具有优异的电气性能和可靠性,适合在工业、电源转换设备、以及各类电动机驱动等场合使用。本文将根据其关键参数和特点对AOD5B65M1进行详细介绍。

主要参数

  • 最大集电极电流(Ic): 10A
  • 最大集射极击穿电压(Vce): 650V
  • 导通压降(Vce(on)): 1.98V @ 15V, 5A
  • 栅极阈值电压(VGE(th)): 5.1V @ 1mA
  • 功耗: 69W
  • 封装类型: TO-252 (DPAK)

电气特性

AOD5B65M1的设计紧密围绕在高压和高电流应用中所需的性能。这款IGBT的最大集电极电流为10A,意味着它能够在负载要求较高的情况下稳定工作,其耐压能力高达650V,使其能够处理各种高压环境下的电气任务。

导通压降Vce(on)仅为1.98V(在15V栅极驱动电压和5A集电极电流条件下),表明AOD5B65M1在导通时的功率损耗相对较低,从而提高了整体系统的效率。这对于大型供电和工业驱动应用,以及需要长时间运行的设备,是一个相当重要的特性。

栅极阈值电压VGE(th)为5.1V,意味着该IGBT在接近5.1V的栅压时开始导通。这种特性确保了AOD5B65M1可以与多种控制电路兼容,使其便于集成到现有的系统中。

应用领域

AOD5B65M1在多个领域具备广泛的应用潜力,主要包括但不限于:

  1. 电源转换器: 适用于各种电源管理系统,实现高效的能量转换和调节。
  2. 电动机驱动: 在工业自动化和家用电器各类电动机控制中,该IGBT提供了一个可靠的解决方案,能够承接较高功率的电机负载。
  3. 续航增强设备: 常见于电动汽车和混合动力车中,作为电源控制单元的关键部件,有助于提高能效和延长续航里程。
  4. 逆变器: 用于太阳能光伏系统和风能发电的逆变器中,AOD5B65M1能够在高效率和高可靠性的要求下稳定工作。

封装说明

AOD5B65M1采用TO-252 (DPAK)封装,这种封装形式不仅具备良好的散热性能,还能在较小的尺寸下承载较高的电流,适合空间有限的设计需求。TO-252设计使其在焊接和紧凑布局方面表现良好,特别是在繁忙的电路板上,这种特性尤为重要。

结论

综上所述,AOD5B65M1是一款功能强大而灵活的IGBT器件,凭借其出色的电气性能和应用适应性,无疑是在高功率驱动和控制中不可或缺的选择。凭借稳定性、低功耗及兼容性,该新品将满足新时代对高效能和高可靠性电子设备的需求,助力工业和消费电子的持续发展。无论是在设计新的电源系统,还是在提升现有系统的性能,AOD5B65M1都将为工程师和设计师提供极大的便利与支持。