AOD4454 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD4454

商品编码: BM0000279600
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 100W;2.5W 150V 20A;3A 1个N沟道 TO-252
库存 :
982(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.01
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.01
--
100+
¥2.32
--
1250+
¥2.01
--
2500+
¥1.9
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD4454参数

封装/外壳TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63FET类型N沟道
漏源极电压(Vdss)150V安装类型表面贴装(SMT)

AOD4454手册

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AOD4454概述

AOD4454 产品概述

一、产品简介

AOD4454是一款高效的N沟道场效应管(MOSFET),采用TO-252-3封装,适用于各种功率管理和开关应用。这款MOSFET以其卓越的性能和可靠性,广泛应用于电源转换、电机驱动和LED驱动等领域。凭借其150V的漏源极电压(Vdss)和20A的连续漏电流,AOD4454能够满足各种电子设备对高效能和高可靠性的要求。

二、主要参数

  1. 封装类型:AOD4454采用TO-252封装(又称DPak),这种封装形式具有良好的散热特性,并且适合表面贴装(SMT),使得其在安装时更加灵活和高效。
  2. FET类型:作为一款N沟道MOSFET,AOD4454具备高效开关特性,在高频应用中表现优异,能够有效降低导通电阻,提升转换效率。
  3. 漏源极电压(Vdss):该器件的漏源极电压为150V,使其在高压应用中表现安全可靠,能够承受高达150伏的电压。
  4. 漏电流:该MOSFET具备最大20A的漏电流能力,适用于需要高电流输出的负载,保证了电流的稳定性和系统的安全性。
  5. 功率等级:该器件的额定功率为100W,能够满足大多数电源及驱动应用的功率需求,进而提供稳定的电能供应。

三、性能特点

  1. 高效能:AOD4454具有极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少在开关过程中所产生的功率损耗,从而提升整体系统的能效。
  2. 快速开关特性:其特有的结构设计使得该MOSFET能够快速响应驱动信号,提高了开关速度,适用于高频率的开关应用。
  3. 散热性能优越:TO-252封装的设计使得AOD4454具有优秀的热导性能,能更有效地将热量散发,从而避免因为过热造成的设备损坏。
  4. 兼容性强:由于其符合多种工业标准,AOD4454广泛适用于消费电子、汽车电子、工业控制等多个领域。

四、应用领域

AOD4454由于具备高电压、高电流和高效率的特点,广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源模块,提升转换效率,降低能耗。
  • 电机驱动:能够为步进电机和无刷直流电机提供高效的驱动解决方案,提升控制精度与响应速度。
  • LED驱动:在LED灯具中应用,确保驱动电流稳定,提高LED光源的使用寿命和光效。
  • 工业自动化:在自动化设备中作为开关元件,为控制系统提供快速、可靠的驱动。

五、结论

AOD4454作为一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其高效能、高可靠性和广泛的应用领域,成为电子产品设计中的重要选择。无论是在电源管理还是电机控制等方面,其优越的性能都能够为设计人员提供理想的解决方案。在未来的发展中,AOD4454将持续为各种高要求的应用提供强有力的支持,是您设计中值得信赖的高性能MOSFET。